[实用新型]晶圆背面研磨装置的真空吸盘有效
| 申请号： | 201320717932.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN203542342U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 胡晓宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/30 | 分类号： | B24B37/30;B24B55/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 研磨 装置 真空 吸盘 | ||
1.一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述真空吸盘包括用于吸附晶圆正面的吸附区、隔离区和吹气区，由内向外依次为吸附区、隔离区和吹气区，所述吹气区设有斜向外吹气的吹气气孔。
2.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气区为环形。
3.如权利要求2所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述晶圆的边缘位于所述吹气区内，所述吹气气孔斜向外吹出的气体在晶圆正面产生正压。
4.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10～60度。
5.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
6.如权利要求5所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔均匀排列，且相邻的吹气气孔的间隔为1.5～2.5mm。
7.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吸附区设有抽气气孔，所述抽气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
8.如权利要求7所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述抽气气孔均匀排列，且相邻的抽气气孔的间隔为1.5～2.5mm。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔的吹气压力值为9～11千帕，所述吸气气孔的吸气压力值为82.8～97.2千帕。
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