[实用新型]晶圆背面研磨装置的真空吸盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘。

背景技术

随着半导体封装组件的薄化趋势，封装组件内的晶片亦应当符合更薄的要求，所以出现了晶圆背面研磨的制程。当前，晶圆背面研磨采用的工艺流程是：首先，晶圆正面贴上保护膜；然后，采用真空吸附的方式将晶圆吸附在研磨装置的真空吸盘上，晶圆背面裸露在外等待研磨；接着，研磨头研磨晶圆形成更薄的晶圆，研磨完毕后吹干晶圆；接下来，机械手臂把晶圆从研磨装置中取出，搬移至保护膜去除装置内，通常保护膜去除装置是通过撕离胶带撕离保护膜的；最后，清洗晶圆并进入下一道工序。

然而，晶圆背面研磨时由于混有硅粉的污水易渗入晶圆和真空吸盘之间，导致晶圆吹干之后在保护膜表面留有一圈硅粉。而撕保护膜时由于硅粉的存在，导致撕离胶带不能很好的与保护膜粘连，往往撕离胶带将硅粉粘掉而没粘住保护膜，从而导致撕膜成功率很低。为此，需要人工手动撕保护膜，大大浪费了人力，增加了产品发生异常的几率。

因此，需要设计一种新的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，防止研磨污水渗入晶圆和真空吸盘间的缝隙，从而改善晶圆背面研磨后晶面保护膜表面的洁净度，提升撕膜成功率。

发明内容

本实用新型的目的在于解决晶圆背面研磨后由于硅粉残留在吸附位置的保护膜上，不能有效撕离保护膜的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘，这种新的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，包括用于吸附晶圆正面的吸附区、隔离区和吹气区，由内向外依次为吸附区、隔离区和吹气区，所述吹气区设有斜向外吹气的吹气气孔。

可选的，所述吹气区为环形。

可选的，所述晶圆的边缘位于所述吸气区内，所述吹气气孔斜向外吹出的气体在晶圆正面产生正压。

可选的，所述吹气气孔斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10～60度。

可选的，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。

可选的，所述吹气气孔均匀排列，且相邻的吹气气孔的中心间隔为1.5～2.5mm。

可选的，所述吸附区设有吸气气孔，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。

可选的，所述吸气气孔均匀排列，且相邻的吸气气孔的中心间隔为1.5～2.5mm。

可选的，所述吹气气孔的吹气压力值为9～11千帕，所述吸气气孔的吸气压力值为82.8～97.2千帕。

与现有技术相比，本实用新型提供的晶圆背面研磨装置的真空吸盘增设了吹气区和隔离区，所述吹气区在研磨时可以不断斜向外吹出气体，使研磨时混有硅粉的污水无法渗入到晶圆与真空吸盘之间，防止污水渗入污染晶圆上的保护膜，并且，增设的隔离区防止吸附区和吹气区两区域相互影响，尽可能减小了对晶圆吸附功能的影响。

附图说明

图1是本实用新型实施例的晶圆背面研磨装置的真空吸盘的俯视示意图；

图2是图1中沿A-A’的纵向剖面示意图。

具体实施方式

以下结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

如图1和图2所示，本实用新型提供一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘100，包括用于吸附晶圆70正面的吸附区10、隔离区20和吹气区30，由内向外依次为吸附区10、隔离区20和吹气区30，所述吹气区30设有斜向外吹气的吹气气孔31。本实用新型在原来真空吸盘的基础上增设了吹气区30和隔离区20，所述吹气区30在研磨时可以不断斜向外吹出气体，使研磨时混有硅粉的污水无法渗入到晶圆70与真空吸盘之间，防止污水渗入污染晶圆70上的保护膜，并且，增设的隔离区20防止吸附区10和吹气区30两区域相互影响，尽可能减小了对晶圆吸附功能的影响。

进一步的，所述吹气区30为环形，设有多个斜向外吹气的吹气气孔31，所述吹气气孔31斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10～60度，所述吹气气孔31以所述真空吸盘100的中心为圆心排列成圆形，均匀排列，相邻的吹气气孔的中心间隔为1.5～2.5mm，以确保吹出的气体均匀，吹气效果最佳。所述晶圆70的边缘位于所述吹气区30内。当然，所述吹气区30的气孔大小、形状和分布不做限定，只要能满足吹气功能同时保证不会引起工程不良即可。