[实用新型]新型QFN引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装领域，具体为一种新型QFN（方形扁平无外引脚封装）引线框架。

背景技术

目前国内本土封装企业仍以DIP、SOP、QFP等形式为主，总体来说，国内企业的引线框架产品多用于分立器件和中低档IC的封装，集成电路用引线框架所占比率相对较少，目前呈现出向中高档形式如QFN发展的趋势，QFN引线框架由于具有良好的导电和散热性能、体积小、重量轻，非常适合应用在手机、数码相机、PDA以及其它便携小型电子设备的高密度印刷电路板上，随着QFN应用的快速增长，高性能的QFN产品，必将会在国内外IC封装测试市场中赢得良好的收益，而QFN引线框架塑封体与引线框架之间的附着强度决定了QFN封装的可靠性，从而影响着芯片的稳定性。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种新型QFN引线框架，以解决上述背景技术中的缺点。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

新型QFN引线框架，包括框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片，所述基岛区位于所述框架基体内部中心，基岛区通过所述连接脚与框架基体连接，所述引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接，所述芯片安装于基岛区的中心位置，所述引线管脚在QFN封装体内通过内部引线与基岛区的芯片电极连接，所述引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽。

上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚上的凹槽位于引线管脚的边缘，形成围住引线管脚与基岛区芯片连接区域的缺槽。

上述新型QFN引线框架中，优选的，基岛区表面安装芯片的外围蚀刻有包围芯片的凹槽，所述连接脚上蚀刻有凹槽，连接脚上的凹槽与基岛区凹槽连通。

上述新型QFN引线框架中，优选的，基岛区芯片外围蚀刻的凹槽位于基岛区的边缘，在基岛区的边缘形成围住基岛区的缺槽，连接脚上的凹槽沿凹槽的宽度方向扩宽至连接脚的边缘，在连接脚上形成比基岛区低的平台，基岛区的缺槽经连接脚上的平台延伸至框架基体。

上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻有凹孔。

上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻的凹孔为椭圆形。

上述新型QFN引线框架中，优选的，所述框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚材料均采用镍锡铜合金。

有益效果：本实用新型导电能力强、接触电阻稳定、耐腐蚀、可靠性高，弹性能力强，通过基岛外围及引线管脚边缘蚀刻的凹槽，使封装时塑封料填充在凹槽内，有效增加了塑封料与引线框架的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施例的示意图。

图中：框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4、芯片5、内部引线6、基岛区缺槽7、连接脚凹槽8、凹孔9、引线管脚缺槽10。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见图1的新型QFN引线框架，包括框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4、芯片5，基岛区2位于框架基体1内部中心，基岛区2通过连接脚3与框架基体1连接，引线管脚4分布于基岛区2的外围并与框架基体1连接，芯片5安装于基岛区2的中心位置，引线管脚4在QFN封装体内通过内部引线6与基岛区2的芯片5电极连接，引线管脚4表面与基岛区2芯片5连接的区域边缘蚀刻有引线管脚缺槽10。

基岛区2表面安装芯片5的外围蚀刻有包围芯片5的凹槽，连接脚3上蚀刻有连接脚凹槽8，连接脚凹槽8与基岛区的凹槽连通。

优选的，基岛区凹槽位于基岛区2的边缘，在基岛区2的边缘形成围住基岛区2的基岛区缺槽7，连接脚凹槽8沿凹槽的宽度方向扩宽至连接脚3的边缘，在连接脚3上形成比基岛区2低的平台，基岛区缺槽7经连接脚3上的平台式连接脚凹槽8延伸至框架基体1。

优选的，引线管脚4表面与基岛区2连接的区域外蚀刻有椭圆形凹孔9。

优选的，框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4材料均采用镍锡铜合金。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。