[实用新型]厚膜混合集成电路模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及厚膜电路，尤其涉及一种混合集成电路模块。

背景技术

厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部件，它是利用用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络，并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件，再外加封装而成的混合集成电路。

而无源网络把厚膜浆料倒在丝网上，用刮板把浆料压入网孔，漏印在基片上所形成，该无源网络中一般都包含有厚膜电阻，而厚膜电阻在形成之后还需要进行烧结、激光调阻等，其中，激光调阻即使通过激光切割将各个厚膜电阻的电阻值调整至符合要求的值。在激光调阻过程中，一般是将整个陶瓷板放入激光调阻设备中，每片陶瓷板上具有多个同样的厚膜混合集成电路模块，每个厚膜混合集成电路模块上的厚膜电阻都需要进行调整。在陶瓷板放入激光调阻设备的治具上时，需要对陶瓷板进行定位，现有技术中采用陶瓷板的外边缘进行定位，这种定位方式，由于陶瓷板的尺寸存在误差，所以每一块陶瓷板在治具上的位置存在误差，如此，在激光调阻过程中，不同陶瓷板上厚膜电阻上的激光调阻切槽位置不一致，即各个厚膜混合集成电路模块上的激光调阻切槽的一致性较差。此外，激光调阻切槽一般为“L”形或“一”字型，在其尖端位置容易出现尖端放电，造成耐压性较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足而提供的一种带有“L”形厚膜电阻的厚膜混合集成电路模块，可通过“L”形厚膜电阻作为定位，使得各个厚膜混合集成电路模块上的激光调阻切槽一致性更好。

本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案是：一种厚膜混合集成电路模块，它包括陶瓷基板及印制在陶瓷基板上的无源网络，其改进在于：所述无源网络中包含多个外形呈“一”字形的一”字形厚膜电阻及一个外形呈“L”形的“L”形厚膜电阻；

所述“L”形厚膜电阻包括一体成型的第一电阻部及第二电阻部，所述第一电阻部与第二电阻部垂直连接形成的“L”形电阻体，所述“L”形电阻体的两端分别连接一电极；

所述第一电阻部上设有激光调阻切槽A，所述第二电阻部上设有激光调阻切槽B。

下面对上述技术方案作进一步阐述：

进一步的，所述激光调阻切槽A及激光调阻切槽B呈“一”字形；所述激光调阻切槽A与所述第一电阻部垂直，所述激光调阻切槽B与所述第二电阻部垂直。

进一步的，所述“L”形厚膜电阻设置于所述陶瓷基板上靠近边缘或边角的位置。

进一步的，所述“一”字形厚膜电阻包括“一”字形电阻体及设置于“一”字形电阻体两端的电极，所述电阻体上设置激光调阻切槽C。

进一步的，所述激光调阻切槽C呈“U”形。

本实用新型的有益效果是：其一、本实用新型提供的厚膜混合集成电路模块，由于其上设置有“L”形厚膜电阻，在激光调阻过程中，可通过该“L”形厚膜电阻进行定位，具体的，由于每个厚膜混合集成电路模块上的“L”形厚膜电阻位置是相同的，所以可利用“L”形厚膜电阻上的激光调阻切槽A与激光调阻切槽B作为定位参照，再去对其他厚膜电阻进行调阻，如此，每个厚膜混合集成电路模块上其他厚膜电阻上的激光调阻切槽位置能够保持一致，即可使得各个厚膜混合集成电路模块上激光调阻切槽的一致性更好；其二、“一”字形厚膜电阻上激光调阻切槽C呈“U”形，相对于技术中的L形或一字型切槽，不会产生尖端放电等问题，可提高厚膜电阻的耐压值。

附图说明

图1是本实用新型实施例的整体结构示意图；

图2是图1中A处的局部放大图；

图3是本实用新型实施例中“一”字形厚膜电阻的结构示意图；

图4是具有多个本实用新型厚膜混合集成电路模块的陶瓷板。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

以下将结合附图及具体实施例详细说明本实用新型的技术方案，以便更清楚、直观地理解本实用新型的发明实质。

参照图1所示，本实用新型提供了一种厚膜混合集成电路模块100，它包括陶瓷基板10及印制在陶瓷基板10上的无源网络，所述无源网络中包含多个外形呈“一”字形的“一”字形厚膜电阻20及一个外形呈“L”形的“L”形厚膜电阻30。该“L”形厚膜电阻30包括一体成型的第一电阻部301及第二电阻部302，所述第一电阻部301与第二电阻部302垂直连接形成的“L”形电阻体，所述“L”形电阻体的两端分别连接一电极303；所述第一电阻部301上设有激光调阻切槽A3011，所述第二电阻部302上设有激光调阻切槽B3021。