[实用新型]一种用于集成电路的铜保险丝有效
申请号: | 201320751643.0 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN203644777U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 叶文冠 | 申请(专利权)人: | 叶文冠;绿亚电子(泉州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/525 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 傅家强 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 集成电路 保险丝 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于集成电路的铜保险丝。
背景技术
在半导体工艺的设计规则迈入0.18μm或以下的尺寸之际,为了克服RC延迟的问题,在金属化的工艺部分已逐渐有利用电阻较小的铜金属来取代其他金属,以作为半导体工艺金属化材料的趋势。然而,由于铜极易与空气中的氧气反应,而在铜表面形成一薄氧化物层,造成电性接触上的问题,使得在现今的设计规则下,铜材质难以如同铝金属般应用在保险丝的设计上。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是克服现有技术的缺点,提供一种可防止铜金属焊垫氧化,且可有效降低RC延迟的用于集成电路的铜保险丝。
本实用新型采用如下技术方案:
一种用于集成电路的铜保险丝,包括有形成于一半导体基底上的两铜金属焊垫及一金属线,所述两铜金属焊垫藉由该金属线电性连接,形成保险丝结构。
进一步地,所述金属线材质是铝。
进一步地,所述金属线与两铜金属焊垫间包括一阻障层。
进一步地,所述阻障层是氮化钽。
进一步地,所述两铜金属焊垫之间通过一介电材料层隔开,使两铜金属焊垫电性绝缘。
进一步地,所述一种用于集成电路的铜保险丝还包括一保护层,形成于所述半导体基底上,并覆盖两铜金属焊垫,该保护层形成有一可暴露出两铜金属焊垫一部分的开口。
进一步地,所述金属线覆盖所述保护层开口与两铜金属焊垫电性连接,以使两铜金属焊垫与空气隔绝。
由上述对本实用新型的描述可知,与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:铜金属焊垫上覆盖有保护层与金属线,使铜金属焊垫与空气隔绝,可防止铜金属焊垫氧化,而采用铜金属焊垫制成保险丝,可有效降低RC延迟。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式的铜保险丝的剖面图;
图2是图1的俯视图,其中I-I切面的剖面结构如图1所示。
图中:1.铜金属焊垫,2.金属线,3.保护层,4.开口,5.阻障层,6.介电材料层。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。
参照图1和图2,本实用新型的一种用于集成电路的铜保险丝,包括有形成于一半导体基底上的两铜金属焊垫1、一金属线2及一保护层3,所述两铜金属焊垫1藉由该金属线2电性连接,形成保险丝结构。所述保护层3覆盖两铜金属焊垫1,且形成有一可暴露出两铜金属焊垫1一部分的开口4。所述金属线2覆盖所述保护层3开口4与两铜金属焊垫1电性连接,以使两铜金属焊垫1与空气隔绝。
参照图1和图2,所述金属线2材质是铝。所述金属线2与两铜金属焊垫1间包括一阻障层5。所述阻障层5是氮化钽。所述两铜金属焊垫1之间通过一介电材料层6隔开,使两铜金属焊垫1电性绝缘。
上述仅为本实用新型的一个具体实施方式,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的