[实用新型]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201320751871.8 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203631566U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭广兴;刘宪成;梁厅;丁伯继 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州（*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
外延层，位于所述半导体衬底的一侧；
保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；
凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括：
钝化层，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧，所述钝化层具有一引线孔，所述保护环围绕所述引线孔；
势垒合金层，位于所述引线孔中的所述外延层上；
正面电极，位于所述势垒合金层上；
背面电极，位于所述半导体衬底背离所述外延层的一侧。
3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为二氧化硅。
4.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述势垒合金层的厚度为
5.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述保护环的深度的三分之二。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度比所述保护环的深度小0.6μm～1.6μm。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度为0.6μm～0.8μm。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述保护环的深度为1.2μm～2μm。
9.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述保护环的内径与所述凹槽之间的距离为15μm～30μm。
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