[实用新型]一种SOT-23封装结构有效

专利信息
申请号: 201320762569.2 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN203644753U 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 张子岳;黄正信;刘家宾 申请(专利权)人: 丽智电子(昆山)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215316 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 sot 23 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及了一种SOT-23封装结构,属于二极管封装技术领域。 

背景技术

目前市场上采用SOT-23封装技术为以铜支架当作载体以固晶、焊线/模压的技术进行封装再经电镀及冲压工序完成二极管封装。 

    在此市场所采用的SOT-23封装技术上,其PIN脚焊接面积较小且对于PIN脚的平整度要求较高,若成型时PIN脚不平整于客户SMT打件时易造成焊接空焊;虚焊;假焊等质量问题并影响SMT贴片机效率,如图2所示。 

    在此市场所采用的SOT-23封装技术上,其产品封装后成品高度较高对于客户的设计空间占用较多较不适合于小型化产品的设计需求,导致客户成品组装的厚度无法变薄及原材料的耗用较多。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种SOT-23封装结构,有利于提高产品的焊接质量,减少组件所占用空间,更适合客户小型化产的的设计需求及降低客户的组装成本。 

为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是: 

一种SOT-23封装结构,包括基板,所述基板的上表面设置有两块第一银导体层,所述每块第一银导体层上均设置有芯片,所述两块芯片的上方设置有与其连接的第二银导体层,所述基板的上方还设置有用于包裹所述第一银导体层、芯片和第二银导体层的环氧树脂层;还包括三个设置在所述基板和环氧树脂层两侧面的端电极,其中两个端电极设置在同侧、且分别与两块第一银导体层相连接,另一个端电极设置在另一侧、且与所述第二银导体层相连接。

前述的一种SOT-23封装结构,其特征在于:该SOT-23封装结构的厚度为0.8mm-0.9mm。 

前述的一种SOT-23封装结构,其特征在于:所述端电极的宽度为0.8mm。 

前述的一种SOT-23封装结构,其特征在于:所述基板为陶瓷材质。 

本实用新型的有益效果是: 

1、采用本实用新型的SOT-23封装结构的产品为贴片形式,可利于客户 

SMT打件的效率提升;

2、本实用新型的SOT-23封装结构的端电极采用银导体涂布后镀镍镀锡来作为产品焊接用电极,可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本。

3、采用本实用新型的SOT-23封装结构的产品厚度降低,减少组件所占用空间,适合客户小型化轻薄型产品的设计需求,减少客户的产品设计成本及原物料用量。 

附图说明

图1是本实用新型一种SOT-23封装结构的结构示意图; 

图2是本现有的SOT-23封装结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合说明书附图,对本实用新型作进一步的说明。 

如图1所示,一种SOT-23封装结构,包括基板1,其为陶瓷材质,所述基板1的上表面设置有两块第一银导体层3,所述每块第一银导体层3上均设置有芯片4,所述两块芯片4的上方设置有与其连接的第二银导体层5,取代了现有的以铜支架承载芯片的方式,所述基板1的上方还设置有用于包裹所述第一银导体层3、芯片4和第二银导体层5的环氧树脂层6,作为二极管的保护结构;还包括三个设置在所述基板1和环氧树脂层6两侧面的端电极2,其中两个端电极2设置在同侧、且分别与两块第一银导体层3相连接,另一个端电极2设置在另一侧、且与所述第二银导体层5相连接,采用银导体涂布后镀镍镀锡来作为产品焊接用电极,可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本。 

该SOT-23封装结构的厚度为0.8mm-0.9mm,优选为0.85mm,降低了产品的厚度,减少组件所占用空间,适合客户小型化轻薄型产品的设计需求,减少客户的产品设计成本及原物料用量。 

所述端电极2的宽度为0.8mm,使二极管的可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本。 

综上所述,本实用新型提供的一种SOT-23封装结构,有利于提高产品的焊接质量,减少组件所占用空间,更适合客户小型化产的的设计需求及降低客户的组装成本。 

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。 

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