[实用新型]一种TD-LTE射频功率放大器有效
| 申请号： | 201320779827.8 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203608161U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 徐毅;李合理;张磊 | 申请（专利权）人： | 京信通信系统（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王茹;曾旻辉 |
| 地址： | 510663 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 td lte 射频 功率放大器 | ||
1.一种TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，包括：输入耦合、时延单元、输出耦合、模拟预失真器件、第一放大器、第二放大器、电源切换单元、栅压切换单元和反馈耦合，所述输入耦合、所述时延单元、所述输出耦合、所述第一放大器、所述第二放大器和所述反馈耦合依次连接，所述模拟预失真器件连接在所述输入耦合和所述输出耦合之间，并与所述反馈耦合连接，所述电源切换单元连接所述第一放大器，所述栅压切换单元连接所述第二放大器。
2.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述输入耦合的输入端为射频输入口。
3.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述反馈耦合的输出端为射频输出口。
4.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述电源切换单元包括非门电路单元、PFET电路单元和滤波电路单元，所述非门电路单元、所述PFET电路单元和所述滤波电路单元依次连接，所述滤波电路单元连接所述第一放大器。
5.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述栅压切换单元包括非门电路单元、NFET电路单元和滤波电路单元，所述非门电路单元、所述NFET电路单元和所述滤波电路单元依次连接，所述NFET电路单元连接所述第二放大器。
6.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述栅压切换单元包括NFET电路单元和滤波电路单元，所述NFET电路单元与所述滤波电路单元连接，所述NFET电路单元连接所述第二放大器。
7.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，还包括MCU或者DSP，所述MCU或者DSP分别与所述模拟预失真器件和所述栅压切换单元连接。
8.根据权利要求7所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述模拟预失真器件为SC1889。
9.根据权利要求1所述的TD-LTE射频功率放大器，其特征在于，所述模拟预失真器件连接所述栅压切换单元。
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