[实用新型]一种TD-LTE射频功率放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种TD-LTE射频功率放大器。

背景技术

随着无线移动通信技术的发展，4G技术已经得到了越来越多的应用。TD-LTE作为4G技术的一种，其上下行工作时隙可配置是其一个明显的优势。这种工作模式要求射频功率放大器的上下行具有快速、可靠的切换性能。目前在射频功率放大器的切换技术包括射频开关切换、工作电源开关切换和功放管的栅压开关切换。

使用射频开关切换，适用于射频通路上下行通用的应用情况。这种技术要求两端的射频开关具有很高的隔离度，且端口处要求负载良好才能满足系统稳定工作的条件。由于直接对工作电源进行开关操作，考虑到器件的耐压、切换的可靠性以及大功率功放管工作的稳定性要求，使用工作电源开关切换，仅适用于小功率放大管或射频器件、单元的应用。针对大功率高压功放管，就需使用栅压开关切换技术。

目前的TD-LTE射频功率放大器都只是使用了功率回退型式的功放设计。使用这种方式设计高峰均比的TD-LTE功放，其效率偏低。在满足制式线性ACPR的要求情况下，效率一般都低于10%。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种TD-LTE射频功率放大器。

一种TD-LTE射频功率放大器，包括：输入耦合、时延单元、输出耦合、模拟预失真器件、第一放大器、第二放大器、电源切换单元、栅压切换单元和反馈耦合，所述输入耦合、所述时延单元、所述输出耦合、所述第一放大器、所述第二放大器和所述反馈耦合依次连接，所述模拟预失真器件连接在所述输入耦合和所述输出耦合之间，并与所述反馈耦合连接，所述电源切换单元连接所述第一放大器，所述栅压切换单元连接所述第二放大器。

与一般技术相比，本实用新型提供一种适用于TD-LTE工作制式的高性能射频功率放大电路。其线性可以完全满足TD-LTE系统的ACPR、EVM等线性指标，且其满时隙工作模式下工作效率可以达到30%以上，瞬时工作带宽可以达到45MHz以上。同时，本实用新型可使用新型的切换控制电路，有更好的切换响应速度、更小的过冲电压，这样，可以提高系统的可靠性和线性性能。

附图说明

图1是本实用新型TD-LTE射频功率放大器的结构示意图；

图2是本实用新型中电源切换单元的结构示意图；

图3是本实用新型中栅压切换单元的第一实施例的结构示意图；

图4是本实用新型中栅压切换单元的第二实施例的结构示意图；

图5是本实用新型的第一实施例的结构示意图；

图6是本实用新型的第二实施例的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型采取的技术手段及取得的效果，下面结合附图及较佳实施例，对本实用新型做更清楚和完整的描述。

请参阅图1，为本实用新型TD-LTE射频功率放大器的结构示意图。

本实用新型TD-LTE射频功率放大器，包括：输入耦合1、时延单元2、输出耦合3、模拟预失真器件4、第一放大器5、第二放大器6、电源切换电路7（也即电源切换单元）、栅压切换电路8（也即栅压切换单元）和反馈耦合9，所述输入耦合1、所述时延单元2、所述输出耦合3、所述第一放大器5、所述第二放大器6和所述反馈耦合9依次连接，所述模拟预失真器件4连接在所述输入耦合1和所述输出耦合3之间，并与所述反馈耦合9连接，所述电源切换单元7连接所述第一放大器5，所述栅压切换单元8连接所述第二放大器6。

所述输入耦合1的输入端为射频输入口，所述反馈耦合9的输出端为射频输出口。

输入耦合1将输入信号部分耦合到模拟预失真器件4，模拟预失真器件4结合反馈耦合9获取到的输出线性信息产生预失真信号输出，其输出信号经过输出耦合3与经过时延后的输入信号合路后，一起进入第一放大器5，经过适当的放大后进入到高效率的末级大功率放大器（也即第二放大器6），从而实现高效率、高线性的射频功率放大。

使用射频开关切换，适用于射频通路上下行通用的应用情况。这种技术要求两端的射频开关具有很高的隔离度，且端口处要求负载良好才能满足系统稳定工作的条件。当上下行都共用一个射频通路时，对于大功率时，大功率的射频开关就会成为设计的瓶颈。而且，系统的效率也将因此而降低。所以，在大功率应用时，上下行都选用不同的射频通路。这样，选用射频开关也就变得不经济，且难于满足系统设计的需求（隔离度和杂散指标要求）。后两种技术采用了开关射频通路器件的方法来满足TDD工作要求。