[实用新型]一种串联门控发射极耦合逻辑电路

权利要求书

1.一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：连接在第一电源端和第二电源端之间的发射极耦合逻辑电路包括：多级控制闭合电路，每个级别的控制闭合电路包括一对将各自的发射极端子连接在一起的晶体管；一个连接到控制闭合电路的输出电路；该输出电路包括一个第一负载电阻和串联连接的PN结，和一个分压器，分压器的端子连接到PN结，PN结包含在第一输出晶体管的终端；输出电路还包括四个输出端子，第一输出端与第一输出晶体管的基极相连，第二输出端与分压器的中间端子相连，第三输出端与电压分压器的终端相连，而第四输出端与第二输出晶体管的发射极相连；第一输出端被设计来产生高状态(V_OH)和低状态(V_OL)之间的电压变化，其中高状态即较高的电源电压，低状态为低于高状态二分之一个二极管压降(φ)；第二输出端的作用是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压半个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低一个二极管压降(φ)的四分之三；第三输出端的目的是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压一个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低二分之三个二极管压降(φ)；第四输出端子的目的是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压二分之三个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低四分之七个二极管压降(φ)；输出电路还包括一个第二输出晶体管，第二输出端被连接到第二输出晶体管的基极；输出电路包括一个同相输出电路和一个反相输出电路。 

2.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：在所述逻辑电路包括四个控制闭合电路，以及逻辑电路的第一和所述第二电源端被连接到第一电源电压和第二电源电压，两个电源电压相差约3.3V。 

3.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：还包括七个控制闭合电路，第一和第二电源端被连接到第一电源电压和第二电源电压，两个电源电压相差5.2V。 

4.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：在每个晶体管对中一个晶体管用于接收同相输入，另一个晶体管用于接收反相输入。 

5.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：还包括一个电流源和第二负载电阻，电流源被用来提供电流，该电流用于提供负载电阻二分之一的二极管压降(φ)；电流源包括一个供流电阻和一个串联到导 电通路中的多PN结，多PN结包括一个二极管和一个晶体管；电流源连接在多级控制闭合电路和第二电源端之间；第一和第二负载电阻被连接在控制闭合电路和第一电源端之间，导电通路则连接在第一电源端和供流电阻终端器之间。 

6.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：第一输出晶体管的集电极连接到第一电源电压。 

7.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：连接在第一电源端和第二电源端之间的发射极耦合逻辑电路包括：多级控制闭合电路，每个级别的控制闭合电路包括一对将各自的发射极端子连接在一起的晶体管，并且该对晶体管中一个用于接收同相输入，一个用于接收反相输入；一对连接在多级控制闭合电路和第一电源端之间的负载电阻；一个电流源，该电流源包含多个通过导电通路串联连接的PN结；一个供流电阻，其一端与一个控制闭合电路相连，另一端与PN结相连，并且PN结的另一端与第一电源端相连，第一电源端连接到第一电源电压，供流电阻的另一端通过一个阻尼电阻连接到第二电源端，而第二电源端连接到第二电源电压。 

8.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：多个PN结包括一个二极管、一个晶体管的基极-发射极结和一个第二二极管；第一和第二二极管由集电极和基极短接的晶体管组成。 

9.根据权利要求1所述的一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：连接在第一电压源和第二电压源之间的发射极耦合逻辑电路包括：多级控制闭合电路，每个级别的控制闭合电路包括一对将各自的发射极端子连接在一起的晶体管，并且该对晶体管中一个用于接收同相输入，一个用于接收反相输入；一对连接在多级控制闭合电路和第一电压源之间的负载电阻；一个电流源，该电流源包括一个电流源电阻和一个阻尼电阻，阻尼电阻串联在晶体管对中一个晶体管的发射极终端和电压源之间，电流源还包括多个串联到导电通路之间的PN结，并且导电通路延伸到第一电压源和电流源电阻与阻尼电阻的公共节点之间。