[实用新型]一种SRAM的读取、缓存电路有效
申请号: | 201320799332.1 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN203689919U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 张登军 | 申请(专利权)人: | 广东博观科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 519080 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 读取 缓存 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种SRAM的读取、缓存电路。
背景技术
闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。在Nor Flash存储器芯片的应用中,需要实现对页缓存存储器SRAM的读取,同时锁存读出的数据。
SRAM单元一般包括单元阵列和外围电路两部分,其中单元阵列是SRAM单元的核心,其由SRAM存储单元按照行和列排列而成;而外围电路包括输入输出电路、时序产生电路、行译码电路以及放大读出电路等。其中放大读出电路将指定单元中的存储数据进行采样放大后,再将其传送至输出缓冲器中。
传统的放大读出电路普遍采用电流灵敏放大器结构读取,同时额外增加缓存电路存储读出的数据。采用这种电流灵敏放大器结构和额外增加缓存电路方式,需要耗费较大电路的版图面积,增加成本。
因此,希望提出一种新的SRAM放大读出电路,来减小版图面积,降低制造成本。
实用新型内容
本实用新型提供了一种SRAM的读取、缓存电路,其中包括:
可控缓存装置,其至少包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第五NMOS管,其中第一PMOS管和第二PMOS管的源极接在电源端口;第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别与第一NMOS管和第二NMOS管的漏极相连;第一PMOS管和第二PMOS管的栅极分别与第一NMOS管和第二NMOS管的栅极相连;同时,第一PMOS管和第一NMOS管的栅极与第二PMOS管和第二NMOS管的漏极相连;第二PMOS管和第二NMOS管的栅极与第一PMOS管和第一NMOS管的漏极相连;第一NMOS管和第二NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极相连;第五NMOS管的源极接地;第五NMOS管的栅极通过一个反相器接到选择信号端口上;
读取电路,其至少包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管,其中第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极相连;第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极相连;第三NMOS管的栅极接在第一输出端上;第四NMOS管的栅极接在选择信号端口上;第四NMOS管的源极接地;第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极相连;第七NMOS管的栅极接在第二输出端上;第七NMOS管的源极与第六NMOS管的漏极相连;第六NMOS管的栅极接在选择信号端口上;第六NMOS管的源极接地。。
与现有技术相比,采用本实用新型提供的技术方案具有如下优点:通过同时实现对数据的读取和锁存的方法,减少了版图面积,简化了电路结构,降低了成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1为根据本实用新型的实施例的SRAM的读取、缓存电路的结构图;
图2为根据本实用新型的另一个实施例的SRAM的读取、缓存电路的结构图;
图3为根据本实用新型的实施例读取“1”的时序图;
图4为根据本实用新型的实施例读取“0”的时序图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例。
所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本实用新型。此外,本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东博观科技有限公司,未经广东博观科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320799332.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铝合金导体光纤复合电缆
- 下一篇:一种防摔易固定的移动硬盘盒