[实用新型]通孔可靠性测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造业中的可靠性(Reliability)领域，特别是涉及一种通孔可靠性测试结构。

背景技术

在半导体器件的后段(back-end-of-line，BEOL)工艺中，可根据不同需要在半导体衬底上生长多层金属互连层，每层金属互连层包括金属互连线和绝缘层(一般为电介质)，不同的金属互连层之间通过通孔(via)实现电连接。这就需要对上述绝缘层制造沟槽(trench)和通孔，然后在上述沟槽和通孔内沉积金属，沉积的金属即为金属互连线，一般选用铜或铝作为金属互连线材料。

如图1所示，在现有技术中正常的互连结构中，在有源区(active area)11上沉积有一层间介质层(Interlayer Dielectric，简称ILD)12，所述层间介质层12内有连接孔(contact，简称CT)13，所述连接孔13用于实现有源区11与后段的互连结构的电性连通。所述层间介质层12上沉积有一层电介质14，所述电介质14一般称为金属间电介质(Inter Metal Dielectric，简称IMD)，用于隔绝互连线15以及通孔16。

然而，在制备通孔16时，常常出现过刻蚀。如图2所示，在图中2，相同的参考标号表示等同于图1中的标号。通孔16’由于过刻蚀，会形成在互连线15旁的所述电介质14中，如图2虚线区域所示，从而形成空洞。但是，在现有技术的测试结构中，并不能准确地评估通孔的可靠性。因此，如何提供一种通孔可靠性测试结构，能准确评估通孔的可靠性，从而保证互连结构可靠性分析的准确性，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种通孔可靠性测试结构，能准确评估通孔的可靠性，从而保证互连结构可靠性分析的准确性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种通孔可靠性测试结构，包括至少两层相邻的互连层，每相邻两层的互连层之间均通过一通孔结构连接，其中；

每一互连层均有包括若干单元，每一所述单元均包括一第一互连线以及与所述第一互连线连接的多个第二互连线，不同所述单元之间的所述第一互连线在第一方向排列，同一所述单元之中的多个所述第二互连线在第二方向排列；

所述通孔结构包括第一通孔以及第二通孔，相邻所述互连层的第一互连线之间通过所述第一通孔对应连接，相邻所述互连层的第二互连线之间通过所述第二通孔对应连接；

所述第一互连线、第二互连线、第一通孔以及第二通孔通过一电介质绝缘间隔。

进一步的，所述第一互连线以及第二互连线均为条形。

进一步的，在同一所述单元中，所述第一互连线分别与多个所述第二互连线呈十字相交。

进一步的，所述第一互连线具有多个第一连接处，所述第一互连线在所述第一连接处与所述第一通孔相连；所述第一互连线具有多个第二连接处，所述第一互连线在所述第二连接处与所述第二互连线相交，所述多个第一连接处与多个第二连接处在所述第二方向上交错排列。

进一步的，不同所述单元中的所述第二互连线在所述第二方向上交叉排列。

进一步的，所述第二互连线在端点处与所述第二通孔相连。

进一步的，在同一所述互连层中，所述第一互连线的宽度以及第二互连线的宽度均为设计规则的互连线的最小宽度。

进一步的，在同一所述互连层中，所述第一互连线之间的间距以及第二互连线之间的间距均为设计规则的互连线的最小间距。

进一步的，在同一所述互连层中，所述第一通孔的直径以及第二通孔的直径均为设计规则的通孔最小宽度。

进一步的，在同一所述互连层中，所述第一通孔之间的间距、第二通孔之间的间距以及第一通孔和第二通孔之间的间距均大于等于设计规则的通孔最小间距。

与现有技术相比，本实用新型提供的通孔可靠性测试结构具有以下优点；

本实用新型提供的通孔可靠性测试结构，该测试结构的每一互连层均具有在第一方向排列的所述第一互连线以及在第二方向排列的所述第二互连线，相邻所述互连层的第一互连线之间通过所述第一通孔对应连接，相邻所述互连层的第二互连线之间通过所述第二通孔对应连接，与现有技术相比，该测试结构可以检测所述第一通孔在所述第一方向上的位置是否出现异常，同时可以检测所述第二通孔在所述第二方向上的位置是否出现异常，能准确评估所述通孔结构的可靠性，从而保证互连结构可靠性分析的准确性。

附图说明

图1为现有技术中正常的互连结构的剖面图；