[实用新型]研磨台及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨台及研磨装置。

背景技术

在半导体的生产工艺中，经常需要进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺，化学机械研磨也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)。化学机械研磨工艺是一个复杂的工艺过程，它是将晶圆表面与研磨垫的研磨表面接触，然后，通过晶圆表面与研磨表面之间的相对运动将晶圆表面平坦化，通常采用化学机械研磨设备，也称为研磨机台或抛光机台来进行化学机械研磨工艺。所述研磨装置包括一研磨头，进行研磨工艺时，将要研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将该晶圆紧压到研磨垫上，所述研磨垫是粘贴于研磨台上，当该研磨平台在马达的带动下旋转时，研磨头也进行相应运动；同时，研磨液通过研磨液供应单元输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上。

目前，主要通过调整研磨液的流量大小，和通过调整研磨垫整理器对研磨垫的压力，来实现研磨速率的调整。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨台及研磨装置，实现一种新型的研磨速率调整结构，其可以通过改变内、外平台之间的高度关系，调整研磨垫整理器和研磨垫之间的压力，从而实现对研磨速率的调节。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种研磨台，包括圆状的内平台和环状的外平台、内驱动机构、外驱动机构以及升降机构，所述外平台设环绕所述内平台设置，所述内驱动机构驱动所述内平台转动，所述外驱动机构驱动所述外平台转动，所述升降机构能够驱动所述内平台或者外平台上下移动。

优选的，在上述的研磨台中，所述升降机构包括升降马达、驱动杆、丝杠以及设置于所述内平台或者外平台的螺纹孔，所述升降马达经所述驱动杆与所述丝杠连接，所述丝杠远离所述驱动杆的一端与所述内平台或者外平台的螺纹孔相匹配。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台和外平台之间的间隙小于1毫米。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台和外平台之间的间隙是0.2～0.5毫米。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台或者外平台之间的高度差为2-3mils。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台高于所述外平台的高度。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台低于所述外平台的高度。

优选的，在上述的研磨台中，所述内平台和所述外平台相对的表面上设有保护膜。

优选的，在上述的研磨台中，所述研磨垫和所述研磨台之间还设有缓冲层。

本发明还公开了一种研磨装置，包括研磨头、研磨垫整理器、研磨台与研磨垫，所述研磨垫铺设于所述研磨台上，所述研磨头与所述研磨垫整理器分别设置于所述研磨垫上，所述研磨台采用如上所述的研磨台。

本实用新型提供的研磨装置包括研磨台和研磨垫，所述研磨台，包括圆状的内平台和环状的外平台、内驱动机构、外驱动机构以及升降机构，所述外平台设环绕所述内平台设置，所述内驱动机构驱动所述内平台转动，所述外驱动机构驱动所述外平台转动，所述升降机构能够驱动所述内平台或者外平台上下移动，当研磨垫铺设在所述研磨台上后，可以通过升降机构调整外平台和内平台之间的位置关系，即通过改变内、外平台之间的高度关系，调整研磨垫整理器和研磨垫之间的压力，从而实现对研磨速率的调节。在研磨垫整理器的高度一定的情况下，研磨垫下方的内、平台或者外平台的高度越高，研磨垫整理器和研磨垫之间的距离越小，研磨垫整理器和研磨垫之间的压力越大，则研磨垫上表面上的沟槽的深度越浅，研磨速率越高，反之，研磨速率越低。本实用新型使用方式灵活，可以使得内平台高于外平台，以适应于研磨台中间轮廓不够好或者需要中间高研磨速率的产品，或者可以使得内平台低于外平台，以适应于研磨台边缘轮廓不够好或者需要边缘高研磨速率的产品，或者，可以使得内、外平台一样高，像普通研磨台一样进行研磨晶圆，由此，本实用新型提供了一种新型的调整研磨速率的装置，使用灵活，提高了研磨台的应用场合，提高了产品良率。

附图说明

本实用新型的研磨台及研磨装置由以下的实施例及附图给出。

图1是本实用新型一实施例的研磨台的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例的升降机构和内平台的装配示意图；

图3是本实用新型一实施例的研磨头在研磨垫上的运动示意图；