[实用新型]一种低反压BED集成功率三极管有效
| 申请号： | 201320804410.2 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN203644776U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 黄佳;叶文浩;李建球;杨晓智 | 申请（专利权）人： | 深圳市鹏微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人： | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低反压 bed 集成 功率 三极管 | ||
1.一种低反压BED集成功率三极管，其特征在于包括：封装胶壳（1），封装在封装胶壳内的三极管芯片（2）和二极管芯片（3），所述三极管芯片包含由上而下叠置的发射极层（2e）、基极层（2b）、高阻层（2n）、集电极（2c），该集电极底部焊接第一焊接片（4），所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极，该阴极底部焊接第二焊接片（5），所述阳极通过导线连接所述发射极层，基极层通过导线与第二焊接片焊接，发射极层通过导线与第三焊接片（6）焊接，第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚（7、8、9）。
2.如权利要求1所述的低反压BED集成功率三极管，其特征在于：所述高阻层（2n）在位于基极层（2b）与集电极（2c）之间处的厚度为50微米。
3.如权利要求2所述的低反压BED集成功率三极管，其特征在于：所述集电极（2c）采用电阻率为30Ω·cm至40Ω·cm的单晶硅。
4.如权利要求3所述的低反压BED集成功率三极管，其特征在于：所述第一焊接片（4）和第一引脚（7）为一整体，所述第二焊接片（5）和第二引脚（8）为一整体，所述第三焊接片（6）和第三引脚（9）为一整体。
5.如权利要求4所述的低反压BED集成功率三极管，其特征在于：所述第一焊接片（4）、第二焊接片（5）、第三焊接片（6）处于同一平面。
6.如权利要求5所述的低反压BED集成功率三极管，其特征在于：所述第一、第二、第三焊接片之间留有间隙互不接触，各导线之间留有间隙互不接触。
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