[实用新型]一种低反压BED集成功率三极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及三极管，尤其涉及一种将三极管和二极管封装在一起的低反压BED集成功率三极管。

背景技术

目前市面上输入电源电压在200-240V的条件下，使用的电子镇流器及荧光灯的电路中，广泛采用开关功率三极管作为开关元件，并且在其基极与发射极之间反向并接二极管，在现有技术大多采用分立的二极管和三极管组合使用，其缺陷是占用更多的PCB空间，不利于产品的小型化，且两个器件独立封装浪费更多的成本和材料。故此开发一种将三极管与二极管的集成在一起的具有低反压的功率三极管，是业内亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型是要解决现有技术的上述问题，提出一种将三极管与二极管的集成在一起的具有低反压的功率三极管。

为解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案是设计一种低反压BED集成功率三极管，其包括：封装胶壳，封装在封装胶壳内的三极管芯片和二极管芯片，所述三极管芯片包含由上而下叠置的发射极层、基极层、高阻层、集电极，该集电极底部焊接第一焊接片，所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极，该阴极底部焊接第二焊接片，所述阳极通过导线连接所述发射极层，基极层通过导线与第二焊接片焊接，发射极层通过导线与第三焊接片焊接，第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚。

所述高阻层在位于基极层与集电极之间处的厚度为50微米。

所述集电极采用电阻率为30Ω·cm至40Ω·cm的单晶硅。

所述第一焊接片和第一引脚为一整体，所述第二焊接片和第二引脚为一整体，所述第三焊接片和第三引脚为一整体。

所述第一焊接片、第二焊接片、第三焊接片处于同一平面。

所述第一、第二、第三焊接片之间留有间隙互不接触，各导线之间留有间隙互不接触。

与现有技术相比，本实用新型将三极管与二极管的集成在一起，有利于产品的小型化，更加节省材料和制作成本；采用新型的结构，三极管的Ic电流能力提高，Tf明显降低，减少开通损耗和开关时间，VCEO降低；可用小功率（小面积芯片）三极管替代大功率（大面积芯片）三极管，减小封装体积，降低成本；广泛适用于电源电压为200-240V的半桥电路小功率照明电器中。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作出详细的说明，其中：

图1为本实用新型较佳实施例的横截面示意图；

图2为本实用新型较佳实施例的电路原理图；

图3为本实用新型较佳实施例的内部立体结构示意图；

图4为本实用新型较佳实施例外观示意图。

具体实施方式

本实用新型揭示了一种低反压BED集成功率三极管，本实用新型是将三极管和连接三极管基极与发射极的二极管封装在一起。封装后的效果如图4所示，一个封装胶壳1外露三条引脚7、8、9。

参看图1示出的本实用新型较佳实施例横截面示意图，其包括：封装胶壳1，封装在封装胶壳内的三极管芯片2和二极管芯片3，所述三极管芯片包含由上而下叠置的发射极层2e、基极层2b、高阻层2n、集电极2c，该集电极底部焊接第一焊接片4，所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极，该阴极底部焊接第二焊接片5，所述阳极通过导线10连接所述发射极层，基极层通过导线10与第二焊接片5焊接，发射极层通过导线10与第三焊接片6焊接，第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚7、8、9。

本实用新型的电路原理如图2所示，三极管2的基极B和发射极E之间连接二极管，二极管阳极连接发射极E、阴极连接基极B。

在较佳实施例中，高阻层2n在位于基极层2b与集电极2c之间处的厚度L为50微米。集电极2c采用电阻率为30Ω·cm至40Ω·cm的单晶硅。这样的结构能使饱和压降大幅度降低，通过大量实验证明BVCEO≤390V-450V，BED集成功率三极管的Tf(下降时间)同比BVCE0≥420V减少，BED集成功率三极管BVCEO≤390V-450V的温升比BVCE0≥420V相等或小，输出功率基本一致,且大幅度降低饱和压降，IC电流能力提高，减少开通损耗，开关时间减少，VCEO降低。可以实现降低成本（可以用小面积芯片替代大面积芯片），同时还可以用于小封装结构替代大封装结构。

在较佳实施例中，所述第一焊接片4和第一引脚7为一整体，所述第二焊接片5和第二引脚8为一整体，所述第三焊接片6和第三引脚9为一整体。图3示出了较佳实施例的内部立体结构。