[实用新型]集成电路和电子设备

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一类型的第一半导体器件，包括第一栅极和第一应变的沟道，所述第一栅极包括第一金属材料，所述第一应变的沟道是以第一方式应变的；以及

第二类型的第二半导体器件，包括第二栅极和第二应变的沟道，所述第二栅极包括第二金属材料，所述第二应变的沟道是以第二方式应变的，

其中所述第一栅极和所述第二栅极共同地包括三种或者更少的金属材料。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在所述第一半导体器件的所述第一栅极中和在所述第二半导体器件的所述第二栅极中包括相同金属材料。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，向所述第一应变的沟道施加的应力的量值和／或定向至少部分依赖于所述第一栅极的单元的性质。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，

所述第一半导体器件和所述第二半导体器件分别是p沟道晶体管和n沟道晶体管；

以所述第一方式应变所述第一应变的沟道包括压缩性地应变所述第一应变的沟道；并且

以所述第二方式应变所述第二应变的沟道包括拉伸性地应变的所述第二应变的沟道。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，

所述第一栅极向所述第一半导体器件的所述第一应变的沟道施加压缩性应力；并且

所述第二栅极向所述第二半导体器件的所述第二应变的沟道施加拉伸性应力。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，压缩性地应变所述第一应变的沟道包括在水平方向和／或竖直方向上压缩性地应变所述第一应变的沟道。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，拉伸性地应变所述第二应变的沟道包括在水平方向和／或竖直方向上拉伸性地应变所述第二应变的沟道。

8.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，向所述第一半导体器件的所述第一应变的沟道施加的所述压缩性应力的量值不多于100MPa。

9.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，向所述第一半导体器件的所述第一应变的沟道施加的所述压缩性应力的量值在100MPa与300MPa之间。

10.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，向所述第一半导体器件的所述第一应变的沟道施加的所述压缩性应力的量值在300MPa与500MPa之间。

11.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，向所述第一半导体器件的所述第一应变的沟道施加的所述压缩性应力的量值至少为500MPa。

12.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述第一半导体器件的所述第一金属材料包括铝、钨和／或铜。

13.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，

所述第一半导体器件包括：在所述第一应变的沟道上方的第一电介质层和在所述第一应变的沟道上方的功函数层；

所述第一金属材料在所述功函数层上方；

所述第二半导体器件包括在所述第二应变的沟道上方的第二电介质层；

所述第二金属材料在所述第二电介质层上方；并且

所述功函数层是所述第一栅极的所述单元。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述第一金属材料和所述第二金属材料是相同金属材料。

15.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层具有在4.0eV与4.5eV之间或者在4.5eV与5.0eV之间的带隙。

16.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层包括金属碳化物和／或金属氮化物。

17.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层包括氮化钛、碳化钛、氮化镧、碳化镧、氮化钽和／或碳化钽。

18.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层的厚度不多于100埃。

19.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层的厚度在100与300埃之间。

20.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述功函数层的厚度至少为300埃。