[实用新型]带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池

权利要求书

1.一种带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，包括：一锗底电池、设在锗底电池上的第一隧道结、设在第一隧道结上的砷化铟镓中电池、设在砷化铟镓中电池上的第二隧道结、设在第二隧道结上的磷化铟镓顶电池，其特征在于：在第一隧道结与砷化铟镓中电池之间设有一分布布拉格反射器，通过上述层结构连接及切割后，便形成一三结太阳能电池芯片结构。 

2.根据权利要求1所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述锗底电池自下而上依次设有：P型锗衬底、扩散形成的N型锗层、N型砷化铟镓成核层及N型磷化铟镓窗口层，其中，P型锗衬底的底部设有N型欧姆接触层。 

3.根据权利要求1所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述第一隧道结自下而上依次设有：设在N型磷化铟镓窗口层上的N型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层、设在N型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层上的P型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层。 

4.根据权利要求1所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述中电池上设有：分布布拉格反射器，该分布布拉格反射器自下而上依次包含：P型分布布拉格反射器低折射率层、P型分布布拉格反射器高折射率层；P型砷化铟镓基区层、砷化铟镓发射层、N型磷化铟镓窗口层。 

5.根据权利要求1所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述第二隧道结自下而上依次设有：设在N型磷化铟镓窗口层上的N型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层、设在N型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层上的P型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层。 

6.根据权利要求1所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述顶电池自下而上依次设有：设在P型重掺杂砷化镓或磷化铟镓层上的P型磷化铟镓背场层、P型磷化铟镓基区层、N型磷化铟镓发射区、N型磷化铟铝窗口层、N型砷化镓盖帽层、N金属接触层，其中，N型砷化镓盖帽层的上面、N金属接触层的两端设有减反射膜层。 

7.根据权利要求2所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述P型锗衬底的P型掺杂浓度为：8E16至5E18之间；N型砷化 铟镓成核层的厚度为：10nm至500nm之间；N型磷化铟镓窗口层的厚度为：30nm至500nm之间，掺杂浓度为：8E17至3E18之间，掺杂剂采用硅或者硒。 

8.根据权利要求3所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述第一隧道结、第二隧道结采用的材料为：砷化镓/砷化镓或是磷化铟镓/磷化铟镓，厚度为：7nm至25nm之间；其N型重掺杂层浓度为8E18至3E19之间，掺杂剂为硒或硅,其P型重掺杂浓度为7E19至1E20之间，掺杂剂为碳。 

9.根据权利要求4所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述P型分布布拉格反射器由交替生长的多周期P型磷化铟铝材料和磷化铟铝镓材料所组成；P型砷化铟镓基区层的厚度为：1.5微米至3微米之间，掺杂浓度为1E17至5E17之间，掺杂剂采用锌；N型砷化铟镓发射层厚度为：50nm至300nm之间，掺杂浓度为8E17至3E18之间，掺杂剂采用硅或者硒。 

10.根据权利要求6所述的带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，其特征在于：所述的P型基区层的厚度为：400nm到700nm之间，掺杂浓度为8E16至5E17之间，掺杂剂采用锌或者镁；P型背场层的厚度为：30nm至150nm之间，掺杂浓度为1E18至5E18，掺杂剂采用镁或者锌；N型磷化铟镓窗口层的厚度为：15nm至200nm之间，掺杂浓度为2E17至2E18之间，掺杂剂为硒或硅；N型砷化镓盖帽层的厚度为：100nm至1微米之间，掺杂浓度为1E18至6E18之间，掺杂剂采用硅或硒；减反射膜组成成分为：五氧化二钽或五氧化二钽与其他折射率材料所组成的复合多层结构。