[实用新型]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构有效
| 申请号： | 201320824437.8 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN203690288U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 俞国庆;邵长治;严怡媛;陈俊飞 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 晶圆级铜凸块 封装 结构 | ||
1.一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，包括叠层芯片，其特征在于，所述叠层芯片包括第一硅承载层和第二硅承载层，所述第二硅承载层铺设在所述第一硅承载层的底部形成凸起区域；所述第一硅承载层的底部和凸起区域上均生长有电性隔绝层，所述第一硅承载层的底部上的电性隔绝层上留有第一开口；所述第一开口中设有第一电性连接点；所述凸起区域上的电性隔绝层上留有第二开口；所述第二开口中设有第二电性连接点；所述电性隔绝层上生长有光阻层；所述光阻层上生长有金属层；所述金属层覆盖所述第一电性连接点和第二电性连接点；所述第一电性连接点上通过多次电镀形成第一铜凸块；所述第二电性连接点上通过多次电镀形成第二铜凸块；所述第一铜凸块和第二铜凸块顶部处于同一水平面；所述第一铜凸块和第二铜凸块的顶部生长有等高度的金属球。
2.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述光阻层覆盖凸起区域的侧面。
3.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述铜凸块为方形或圆形。
4.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述凸起区域高出所述第一硅承载层底部20-40微米。
5.根据权利要求4所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述第一铜凸块的高度为80-120微米；所述第二铜凸块的高度为40-100微米。
6.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述光阻层的厚度为10-15微米。
7.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度为1-2微米。
8.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，其特征在于，所述金属层覆盖凸起区域的侧面。
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