[实用新型]晶片多面取像检测装置有效
申请号: | 201320828978.8 | 申请日: | 2013-12-16 |
公开(公告)号: | CN203658274U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 徐嘉新;史伟志;杨胜雄;林建宏 | 申请(专利权)人: | 竑腾科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王刚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 多面 检测 装置 | ||
1.一种晶片多面取像检测装置,其特征在于,其包括:
一基座,其上界定有一呈水平线的晶片输送路径;
一反光盆,其以盆口朝上的方式安装设置于基座中,且位于晶片输送路径下方,反光盆的周壁内表面具有反光表面,反光盆周壁底部设有一底取像孔,反光盆周壁侧面设有多个侧取像孔;
一第一光源,其设置于基座上,用以朝向反光盆的盆口中间区域及晶片输送路径方向提供照明;
一第二光源,其设置于反光盆顶部,用以在反光盆提供照明;
一第一取像组件,其装设置于基座中,且第一取像组件以镜头垂直朝上的方式伸向反光盆底部的底取像孔,用以对沿晶片输送路径移动的待测晶片撷取底面影像;以及
多个第二取像组件,其分布设置于基座中且环绕排列于反光盆外围,所述多个第二取像组件的镜头能经由反光盆周壁的侧取像孔对沿晶片输送路径移动的待测晶片撷取周边侧面的影像。
2.根据权利要求1所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述多个第二取像组件分别以镜头由下朝上倾斜的方式伸向反光盆周壁的侧取像孔。
3.根据权利要求1所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座底部安装设置一升降驱动组件,以升降驱动组件连接该第一取像组件。
4.根据权利要求3所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述升降驱动组件包括一中空的延伸座固定于所述基座底部,该延伸座侧面设有纵向滑轨,在纵向滑轨上设有一滑座,第一取像组件组装设置于滑座上,在延伸座底部设有一伺服马达,伺服马达的心轴组装连接一螺杆,并该螺杆以螺杆纵向设置于滑座。
5.根据权利要求2所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座底部安装设置一升降驱动组件,以升降驱动组件连接该第一取像组件,所述升降驱动组件包括一中空的延伸座固定于所述基座底部,该延伸座侧面设有纵向滑轨,在纵向滑轨上设有一滑座,第一取像组件组设置于滑座上,在延伸座底部设有一伺服马达,伺服马达的心轴组装连接一螺杆,并该螺杆以螺杆纵向设置于滑座。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座包括一第一座体、一固定于第一座体上方的第二座体以及一透光板,第二座体中间形成一装配孔,透光板覆盖于装配孔上方,晶片输送路径通过透光板上方;
所述第一光源包括多组具有多个发光二极管的发光组件,该多个发光组件组装设置于基座的第二座体上,且分布于装配孔外围;
所述第二光源系设置于第二座体下方与反光盆顶部之间,所述第二光源包括至少一侧环光带以及一位于侧环光带下方的底环光带,所述侧环光带包括多个发光二极管分布设置于其带体内环周面,用以朝中央投光,所述底环光带包括有多个发光二极管分布设置于其带体底面,用以朝下方的反光盆周壁的反光表面投光。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述晶片多面取像检测装置增设有一反光带,反光带用以连接一晶片输送装置中一列用以取置待测晶片的取置件,所述反光带位于取置件的取置端部上方,且反光带在两相邻取置件间的区段形成弯折状光折射部,用以将光向下反射。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座顶部设有两个辅助反光板,所述两个辅助反光板各包括一斜向光反射部,所述两个辅助反光板的斜向光反射部设置于该晶片输送路径的相对两侧呈倾斜朝下的对称状。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座顶部设有两个辅助反光板,所述两个辅助反光板各包括一斜向光反射部,所述两个辅助反光板的斜向光反射部设置于该晶片输送路径的相对两侧呈倾斜朝下的对称状;所述晶片多面取像检测装置增设有一反光带,反光带用以连接一晶片输送装置中一列用以取置待测晶片的取置件,所述反光带位于取置件的取置端部上方,且反光带于两相邻取置件间的区段形成弯折状光折射部,用以将光向下反射。
10.根据权利要求6所述的晶片多面取像检测装置,其特征在于,所述基座的第二座体顶部设有两个辅助反光板,所述两个辅助反光板各包括一斜向光反射部,所述两个辅助反光板的斜向光反射部设置于该晶片输送路径的相对两侧呈倾斜朝下的对称状;所述晶片多面取像检测装置增设有一反光带,反光带用以连接一晶片输送装置中一列用以取置待测晶片的取置件,所述反光带位于取置件的取置端部上方,且反光带在两相邻取置件间的区段形成弯折状光折射部,用以将光向下反射。
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