[实用新型]能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路有效
| 申请号： | 201320835669.3 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203673805U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 胡利 | 申请（专利权）人： | TCL康钛汽车信息服务（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/34 | 分类号： | G09G3/34 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区粤兴二道6号武汉*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 emi 辐射 背光 升压 电路 led 驱动 | ||
1.一种能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC-DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，所述RC吸收模块包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的一端连接DC-DC芯片的输出端，第一电阻的另一端通过第一电容接地。
3.根据权利要求2所述的能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，所述DC-DC芯片包括：电感、第二电容、第三电容、二极管和MOS管；所述电感的一端连接DC-DC芯片的输入端、还通过第二电容接地，所述电感的另一端连接MOS管的漏极和二极管的正极，所述MOS管的源极接地，MOS管的栅极连接DC-DC芯片的控制端，所述二极管的负极连接DC-DC芯片的输出端、还通过第三电容接地。
4.根据权利要求3所述的能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，所述DC-DC芯片还包括：第一寄生电感、第二寄生电感、第三寄生电感、第四寄生电感、第一结电容和第二结电容；所述第一寄生电感串联在所述电感的另一端和二极管的正极之间，第二寄生电感串联在所述电感的另一端和MOS管的漏极之间，第三寄生电感的一端连接MOS管的源极，第三寄生电感的另一端接地，所述第四寄生电感串联在二极管的负极和DC-DC芯片的输出端之间；所述第一结电容的一端连接MOS管的漏极，第一结电容的另一端连接MOS管的源极；所述第二结电容与所述二极管并联。
5.根据权利要求2所述的能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值小于100欧姆。
6.根据权利要求2所述的能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，所述第一电容为PF级电容。
7.一种LED背光驱动电路，用于驱动LED，其特征在于，包括储能电感、整流二极管和如权利要求1-6任意一项所述的背光升压电路，所述储能电感的一端连接VCC_IN供电端和背光升压电路的输入端，所述储能电感的另一端连接背光升压电路的输出端和整流二极管的正极，所述整流二极管的负极连接LED的正极，所述背光升压电路的反馈端连接LED的负极。
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