[实用新型]能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED背光控制技术，特别涉及一种能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路。

背景技术

目前，转载设备一般使用7寸或8寸的TFT显示屏，显示屏的背光驱动电路通常使用DC-DC（直流-直流）升压电路。在DC-DC升压电路中均使用了DC-DC升压芯片，而DC-DC升压芯片工作在开关状态，因此会产生很大的噪声和较强的EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）辐射。

请参阅图1和图2，其中，图1为DC-DC升压芯片内部电路的原理图，图2为DC-DC升压芯片内部电路的等效电路图。升压芯片内部包括第一电容C1、第二电容C2、电感L1、二极管D1和MOS管Q1。图2中的第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5均为DC-DC升压芯片内部PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）走线的寄生电感。第三电容C3和第四电容C4分别为MOS管Q1和二极管D1的结电容。

DC-DC升压芯片的工作频率一般在100KHZ~2MHZ，因此在DC-DC升压电路中的dV/dt和di/dt变化大。而且从图2的电路可知，PCB走线存在寄生参数，因此很容易在芯片内部的开关器件（如MOS管），以及DC-DC升压芯片的输出端产生较大的冲击电压、冲击电流、杂散噪声、以及振铃，由此产生很强的EMI辐射。

以下结合图2，对DC-DC升压芯片产生EMI辐射的原因作详细描述：

如图2所示，MOS管Q1在快速导通和截止的过程中会产生尖峰噪声和高频纹波，这将产生很强的辐射。MOS管Q1导通的瞬间，由于MOS管Q1的电压瞬间突变，会出现较大的浪涌电流造成尖峰噪声。当MOS管Q1由导通瞬间截止时，由于MOS管Q1的电流瞬间突变，PCB走线存在寄生电感（如第三电感L3、第四电感L4），会产生反向电动势E=L*di/dt，其值与MOS管Q1的漏极电流的变化率成正比、也与寄生电感成正比，这两个信号共同叠加在关断电压上，形成了MOS管Q1的关断尖峰电压，从而形成辐射干扰。

由图2可知，在MOS管Q1的附近存在LC回路，L为第三电感L3和第四电感L4之和，C为MOS管Q1的结电容（即第三电容C3），当MOS管Q1关断（即截止）时，就形成LC回路产生LC振荡，这个振荡电压叠加到MOS管Q1的漏极电压上，并在几十兆到几百兆范围内进行衰减振荡，产生了较强的EMI辐射，这体现在车载设备上就是电磁辐射和显示屏出现较大的纹波干扰。众所周知EMI辐射对人体有害，因此有必要将其影响尽可能降低。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本实用新型的目的在于提供一种能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，能降低背光升压电路的EMI辐射。

为了达到上述目的，本实用新型采取了以下技术方案：

一种能降低EMI辐射的背光升压电路，其包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC-DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。

所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述RC吸收模块包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的一端连接DC-DC芯片的输出端，第一电阻的另一端通过第一电容接地。

所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述DC-DC芯片包括：电感、第二电容、第三电容、二极管和MOS管；所述电感的一端连接DC-DC芯片的输入端、还通过第二电容接地，所述电感的另一端连接MOS管的漏极和二极管的正极，所述MOS管的源极接地，MOS管的栅极连接DC-DC芯片的控制端，所述二极管的负极连接DC-DC芯片的输出端、还通过第三电容接地。

所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述DC-DC芯片还包括：第一寄生电感、第二寄生电感、第三寄生电感、第四寄生电感、第一结电容和第二结电容；所述第一寄生电感串联在所述电感的另一端和二极管的正极之间，第二寄生电感串联在所述电感的另一端和MOS管的漏极之间，第三寄生电感的一端连接MOS管的源极，第三寄生电感的另一端接地，所述第四寄生电感串联在二极管的负极和DC-DC芯片的输出端之间；所述第一结电容的一端连接MOS管的漏极，第一结电容的另一端连接MOS管的源极；所述第二结电容与所述二极管并联。

所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述第一电阻的阻值小于100欧姆。

所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述第一电容为PF级电容。