[实用新型]Trench肖特基二极管有效
| 申请号： | 201320837912.5 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203659881U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 何永成;李健 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | trench 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.Trench肖特基二极管，包括高浓度N+型衬底，高浓度N+型衬底的下表面为接触金属，上表面为半导体，其特征在于：所述半导体的上表面镀有肖特基势垒金属，并开设有沟槽，沟槽的内表壁具有二氧化硅薄层，沟槽内通过溅射参入多晶，所述的肖特基势垒金属和沟槽表面覆盖一层接触金属。
2.根据权利要求1所述的Trench肖特基二极管，其特征在于：所述的沟槽的宽度为0.5μm，深度为1.8μm，间距为1.5μm。
3.根据权利要求1所述的Trench肖特基二极管，其特征在于：所述的氧化物表层最厚为0.3μm。
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