[实用新型]一种大电流控制电路有效
| 申请号： | 201320850750.9 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN203673381U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朱铁柱;王良坤;张明星;夏存宝;陈路鹏;黄武康;殷明 | 申请（专利权）人： | 嘉兴中润微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 丁惠敏 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市凌公*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 控制电路 | ||
1.一种大电流控制电路，其特征在于，包括MOSFET管M1、MOSFET管M2、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、电阻R1、电阻R2、三极管Q1和三极管Q2；
所述PMOS管MP1的源极、所述PMOS管MP2的源极和所述PMOS管MP3的源极与电源VDD连接；所述PMOS管MP3的栅极、所述PMOS管MP2的栅极、所述PMOS管MP1的栅极和所述PMOS管MP1的漏极的电流为基准电流IREF；所述PMOS管MP2的漏极与所述三极管Q1的集电极连接；所述PMOS管MP3的漏极分别与所述三极管Q2的集电极、所述MOSFET管M1的栅极和所述MOSFET管M2的栅极连接；
所述三极管Q1的基极分别与自身的集电极和所述三极管Q2的基极连接；
所述三极管Q1的发射极接入所述MOSFET管M1和所述电阻R1之间；所述三极管Q2集电极与所述PMOS管MP3的漏极、所述MOSFET管M1的栅极和所述MOSFET管M2的栅极连接；所述三极管Q2的发射极与所述电阻R2连接，所述电阻R2的另一端直接接地；
所述MOSFET管M1的源极分别与所述三极管Q1的发射极和所述电阻R1连接，所述电阻R1的另一端直接接地；所述MOSFET管M1的漏极与所述MOSFET管M2的漏极相连；所述MOSFET管M2的源极直接接地。
2.如权利要求1所述的一种大电流控制电路，其中，所述MOSFET管M1和所述MOSFET管M2的衬底与源极接相同电位。
3.如权利要求1所述的一种大电流控制电路，其中，所述三极管Q1和所述三极管Q2的面积相同且完全匹配。
4.如权利要求3所述的一种大电流控制电路，其中，当所述电阻R2和所述电阻R1的大小比例为N:1、所述MOSFET管M1的宽长比和所述MOSFET管M2的宽长比的比例为1：M时，所述MOSFET管M2的电流为IOUT＝(N-1)×(M+1)×IREF。
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