[实用新型]一种大电流控制电路有效
| 申请号： | 201320850750.9 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN203673381U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朱铁柱;王良坤;张明星;夏存宝;陈路鹏;黄武康;殷明 | 申请（专利权）人： | 嘉兴中润微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 丁惠敏 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市凌公*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于高压功率MOSFET的电流控制电路，尤其涉及一种精确设置普通MOS管电流基准转化为高压功率MOSFET电路的高压大电流控制电路。
背景技术
图1是已知的电流源镜像电路，镜像参考电流Iref由低温度系数模块的电流基准源，即BIAS产生，MP1与MP2为普通PMOS管，MN1和MN2为普通NMOS管。流过NMOS管MN1的漏极电流ID1和流过NMOS管MN2的漏极电流ID2分别为：
其中，μn为NMOS管沟道中电子的迁移率，cox为单位面积的栅氧化层电容，NMOS管MN1的栅极宽长比为NMOS管MN2的栅极宽长比为NMOS管MN1的栅极和源极间的电压为VGS1；NMOS管MN2的栅极和源极间的电压为VGS2；NMOS管MN1的漏极和源极间的电压为VDS1；NMOS管MN2的漏极和源极间的电压为VDS2；VTH为NMOS管的导通阈值电压，λ为NMOS管的沟道长度的调制系数。
当NMOS管MN1和MN2的沟道长度较长，且电源电压较低时，NMOS管的沟道长度调制系数λ较小，NMOS管的漏极的源极间的电压VDS1和VDS2也较小，那么已有的电流镜像电路可以较高精度的完成电流镜像；并且，NMOS管MN1和MN2的漏极电流之比为：
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