[实用新型]一种基于忆阻器的自适应PD 控制器电路有效

专利信息
申请号: 201320856144.8 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN203773246U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 陆益民;陈茗;黄险峰 申请(专利权)人: 广西大学
主分类号: G05B13/04 分类号: G05B13/04
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 彭晓玲
地址: 530004 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 自适应 pd 控制器 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及非线性控制器技术领域,具体涉及一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路。 

背景技术

忆阻器是加州大学伯克利分校蔡少棠教授于1971年提出的除电阻、电容、电感外存在的第四类基本电路元件。该元件可以通过施加不同大小、方向的电压改变其阻值,具有内在的自适能力和良好的非线性特性,因此,广泛用于各类智能电路研究。 

在实际系统中,PD控制器的应用能够加快系统的响应速度,具有超前调节功能,可以改善有较大时间滞后的控制系统,抑制过渡过程的最大动态偏差,有助于提高系统的稳定性。适用于容量滞后大的对象,可以减小偏差的幅度,节省控制时间,显著改善控制质量,在机械伺服控制领域的表现尤为突出。 

常规的PD控制器电路,由于电路器件的限制,一般由线性元件组成,PD参数固定,不具有自适能力,对非线性系统和参数时变摄动的控制效果较差,难以达到存在诸多不确定性的控制对象的预期控制要求。 

实用新型内容

本实用新型为了克服现有PD控制器电路参数固定,不具备自适能力的缺点,发明了一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路,该电路具有自适应能力,且结构简单。 

为解决上述技术问题,本实用新型采用以下的技术方案: 

一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路,包括:忆阻器M、电阻R、电容C、运算放大器U; 

所述忆阻器M的一端与电容C的一端连接; 

所述运算放大器U的反相输入端分别与忆阻器M的另一端、电容C的另 一端和电阻R的一端连接; 

所述运算放大器U的输出端与电阻R的另一端连接; 

所述运算放大器U的同相输入端接地。 

进一步的,所述忆阻器M包括:电阻R1、R2,电容C1,第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第一模拟乘法器A1; 

所述第一运算放大器U1的同相输入端分别与第一模拟乘法器A1的一个乘数输入端Y和电阻R2的一端及电容C的一端连接,第一运算放大器U1的输出端分别与电阻R1的一端及第一运算放大器U1的反相输入端连接; 

所述第二运算放大器U2的反相输入端分别与电阻R1的另一端和电容C1的一端连接,第二运算放大器U2的输出端分别与电容C1的另一端和第一模拟乘法器A1的另一端X连接,第二运算放大器U2的同相输入端与电容C另一端、电阻R的一端及运算放大器U的反相输入端连接; 

所述第一模拟乘法器A1的输出端与电阻R2的另一端连接。 

本实用新型与现有技术相比,具有以下有益效果: 

采用具有记忆和自适应功能的时变电阻—忆阻器作为PD控制器的比例增益调节元件,电路结构简单,参数调节方便,具有自适应能力和较强的鲁棒性,可以较好的实现PD控制器的性能优点,以至于可用于具有较大时间滞后的复杂控制对象的控制。 

附图说明

图1是本实用新型基于忆阻器的自适应PD控制器电路电路结构图; 

图2为本实用新型忆阻器等效电路电路结构图; 

图3是图2所述模拟忆阻器M的忆阻器等效电路在正弦激励信号下的伏安特性曲线; 

图4为基于忆阻器的自适应PD控制系统原理框图; 

图5(a)和图5(b)是本发明所述的一种基于忆阻器的自适应PD控制器的实施例电路的仿真曲线;其中图5(a)是正弦信号跟踪曲线;图5(b)是跟踪误差曲线。 

具体实施方式

以下参照附图并结合具体实施方式来进一步描述本实用新型,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施,本实用新型保护范围并不受限于本实用新型的具体实施方式。 

本实用新型采用具有记忆和自适应功能的时变电阻—忆阻器作为PD控制器的比例增益调节元件,提供了一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路;如图1所示,该电路包括:忆阻器M、电阻R、电容C和运算放大器U; 

所述忆阻器M的一端与电容C的一端连接; 

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