[实用新型]一种基于忆阻器的自适应PD 控制器电路有效
申请号: | 201320856144.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN203773246U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 陆益民;陈茗;黄险峰 | 申请(专利权)人: | 广西大学 |
主分类号: | G05B13/04 | 分类号: | G05B13/04 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 彭晓玲 |
地址: | 530004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 自适应 pd 控制器 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及非线性控制器技术领域,具体涉及一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路。
背景技术
忆阻器是加州大学伯克利分校蔡少棠教授于1971年提出的除电阻、电容、电感外存在的第四类基本电路元件。该元件可以通过施加不同大小、方向的电压改变其阻值,具有内在的自适能力和良好的非线性特性,因此,广泛用于各类智能电路研究。
在实际系统中,PD控制器的应用能够加快系统的响应速度,具有超前调节功能,可以改善有较大时间滞后的控制系统,抑制过渡过程的最大动态偏差,有助于提高系统的稳定性。适用于容量滞后大的对象,可以减小偏差的幅度,节省控制时间,显著改善控制质量,在机械伺服控制领域的表现尤为突出。
常规的PD控制器电路,由于电路器件的限制,一般由线性元件组成,PD参数固定,不具有自适能力,对非线性系统和参数时变摄动的控制效果较差,难以达到存在诸多不确定性的控制对象的预期控制要求。
实用新型内容
本实用新型为了克服现有PD控制器电路参数固定,不具备自适能力的缺点,发明了一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路,该电路具有自适应能力,且结构简单。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下的技术方案:
一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路,包括:忆阻器M、电阻R、电容C、运算放大器U;
所述忆阻器M的一端与电容C的一端连接;
所述运算放大器U的反相输入端分别与忆阻器M的另一端、电容C的另 一端和电阻R的一端连接;
所述运算放大器U的输出端与电阻R的另一端连接;
所述运算放大器U的同相输入端接地。
进一步的,所述忆阻器M包括:电阻R1、R2,电容C1,第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第一模拟乘法器A1;
所述第一运算放大器U1的同相输入端分别与第一模拟乘法器A1的一个乘数输入端Y和电阻R2的一端及电容C的一端连接,第一运算放大器U1的输出端分别与电阻R1的一端及第一运算放大器U1的反相输入端连接;
所述第二运算放大器U2的反相输入端分别与电阻R1的另一端和电容C1的一端连接,第二运算放大器U2的输出端分别与电容C1的另一端和第一模拟乘法器A1的另一端X连接,第二运算放大器U2的同相输入端与电容C另一端、电阻R的一端及运算放大器U的反相输入端连接;
所述第一模拟乘法器A1的输出端与电阻R2的另一端连接。
本实用新型与现有技术相比,具有以下有益效果:
采用具有记忆和自适应功能的时变电阻—忆阻器作为PD控制器的比例增益调节元件,电路结构简单,参数调节方便,具有自适应能力和较强的鲁棒性,可以较好的实现PD控制器的性能优点,以至于可用于具有较大时间滞后的复杂控制对象的控制。
附图说明
图1是本实用新型基于忆阻器的自适应PD控制器电路电路结构图;
图2为本实用新型忆阻器等效电路电路结构图;
图3是图2所述模拟忆阻器M的忆阻器等效电路在正弦激励信号下的伏安特性曲线;
图4为基于忆阻器的自适应PD控制系统原理框图;
图5(a)和图5(b)是本发明所述的一种基于忆阻器的自适应PD控制器的实施例电路的仿真曲线;其中图5(a)是正弦信号跟踪曲线;图5(b)是跟踪误差曲线。
具体实施方式
以下参照附图并结合具体实施方式来进一步描述本实用新型,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施,本实用新型保护范围并不受限于本实用新型的具体实施方式。
本实用新型采用具有记忆和自适应功能的时变电阻—忆阻器作为PD控制器的比例增益调节元件,提供了一种基于忆阻器的自适应PD控制器电路;如图1所示,该电路包括:忆阻器M、电阻R、电容C和运算放大器U;
所述忆阻器M的一端与电容C的一端连接;
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