[实用新型]PECVD镀膜装置

权利要求书

1.一种PECVD镀膜装置，其特征在于，包括：

预处理室（10），用于对基材（40）进行表面预处理；

镀膜室（20），位于所述预处理室（10）下游，用于对经所述预处理室（10）预处理的基材（40）进行镀膜；以及

收料室（30），设置在所述镀膜室（20）下游，用于收集经所述镀膜室（20）镀膜的基材（40）；

所述预处理室（10）、所述镀膜室（20）以及所述收料室（30）之间为真空密封连接。

2.根据权利要求1所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述预处理室（10）包括：

供给机构（11），用于供给所述基材（40）；

表面处理机构（12），设置在所述基材（40）的待处理表面所在侧，用于对所述基材（40）的待处理表面进行清洁。

3.根据权利要求2所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述表面处理机构（12）为低温等离子体清洁机构。

4.根据权利要求1所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述镀膜室（20）包括：

放电电极对（21），所述基材（40）穿设在所述放电电极对（21）的两个电极之间；卷绕辊（22），所述基材（40）绕设在所述卷绕辊（22）上。

5.根据权利要求4所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述放电电极对（21）的两个所述电极之间的间距可调。

6.根据权利要求4所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述放电电极对（21）的两个电极之间的间距为25mm至55mm之间。

7.根据权利要求4所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述放电电极对（21）的各电极均为等截面电极。

8.根据权利要求4所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述镀膜室（20）还包括连接至室内的排气系统（23）和进气口（24），所述进气口（24）设置在所述放电电极对（21）的两个电极之间，所述排气系统（23）设置在所述镀膜室（20）的侧壁上。

9.根据权利要求4所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述PECVD镀膜装置还包括成膜速率检测装置，所述成膜速率检测装置用于检测所述放电电极对（21）的放电区域内的等离子区内的成膜速率。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的PECVD镀膜装置，其特征在于，所述收料室（30）内设置有：

收料机构（31），用于收起完成镀膜的基材（40）；

电晕处理机构（32），设置在所述完成镀膜的基材（40）进入所述收料机构（31）的路径上，用于对所述完成镀膜的基材（40）表面的固态薄膜进行电晕。