[实用新型]PECVD镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及气体放电技术领域，具体而言，涉及一种PECVD镀膜装置。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积法PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)借助于气体辉光放电产生的低温等离子体，增强反应位置的化学活性，促进了气体间的化学反应，从而在低温下也能在基材上形成固体膜。固体膜可以敷在软基材、硬基材上。为保证固体薄膜的成膜质量，通常对基材的预成膜面进行表面的处理，表面处理的目的是去除基材表面的材质成份。基材表面的预处理工作会影响到基材上固体膜的成膜质量。

PECVD装置通常通过一对或若干对电极辊对向放电产生等离子体，一个放电区域在两组电极之间形成放电区，放电区域内通过放电产生的电子碰撞分子或原子产生等离子体，高能量的等离子体运动过程中促成反应气体的化学反应，组成了新成份粒子。新成份粒子在磁场的控制下形成规律性的运动，最终沉积在基材或设备的外壁上形成固态薄膜。薄膜形成过程中，控制镀膜室的真空度或压力、控制反应气体的通气量、控制电极间的放电间隙等，可以控制在基材表面镀膜的质量。

在对基材进行镀膜时，一般通过对基材表面进行加热或者烘烤等来增加基材表面的清洁度，但如此一来，基材表面容易在高温环境下与空气之间发生反应，导致对基材表面造成污染，对基材表面的镀膜质量造成不利影响。

发明内容

本发明旨在提供一种PECVD镀膜装置，能够保证基材表面处理时的清洁度，保证基材表面的镀膜质量。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种PECVD镀膜装置，包括：预处理室，用于对基材进行表面预处理；镀膜室，位于预处理室下游，用于对经预处理室预处理的基材进行镀膜；以及收料室，设置在镀膜室下游，用于收集经镀膜室镀膜的基材；预处理室、镀膜室以及收料室之间为真空密封连接。

进一步地，预处理室包括：供给机构，用于供给基材；表面处理机构，设置在基材的待处理表面所在侧，用于对基材的待处理表面进行清洁。

进一步地，表面处理机构为低温等离子体清洁机构。

进一步地，镀膜室包括：放电电极对，基材穿设在放电电极对的两个电极之间；卷绕辊，基材绕设在卷绕辊上。

进一步地，放电电极对的两个电极之间的间距可调。

进一步地，放电电极对的两个电极之间的间距为25mm至55mm之间。

进一步地，放电电极对的各电极均为等截面电极。

进一步地，镀膜室还包括连接至室内的排气系统和进气口，进气口设置在放电电极对的两个电极之间，排气系统设置在镀膜室的侧壁上。

进一步地，PECVD镀膜装置还包括成膜速率检测装置，成膜速率检测装置用于检测放电电极对的放电区域内的等离子区内的成膜速率。

进一步地，收料室内设置有：收料机构，用于收起完成镀膜的基材；电晕处理机构，设置在完成镀膜的基材进入收料机构的路径上，用于对完成镀膜的基材表面的固态薄膜进行电晕。

应用本发明的技术方案，PECVD镀膜装置包括：预处理室，用于对基材进行表面预处理；镀膜室，位于预处理室下游，用于对经预处理室预处理的基材进行镀膜；以及收料室，设置在镀膜室下游，用于收集经镀膜室镀膜的基材；预处理室、镀膜室以及收料室之间为真空密封连接。根据本发明的PECVD镀膜装置，预处理室、镀膜室和收料室之间为真空密封连接，使得基材的整个镀膜过程全部在真空密封环境下进行，因此可以避免对基材进行表面处理时基材表面与空气发生反应而影响基材的镀膜质量，从而有效提高基材的镀膜质量。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的实施例的PECVD镀膜装置的结构示意图；

图2示出了根据本发明的实施例的PECVD镀膜装置的放电电极对结构示意图；

图3示出了根据本发明的PECVD镀膜装置的镀膜室的第一结构示意图；以及

图4示出了根据本发明的PECVD镀膜装置的镀膜室的第二结构示意图。

附图标记：10、预处理室；20、镀膜室；30、收料室；40、基材；11、供给机构；12、表面处理机构；21、放电电极对；22、卷绕辊；23、排气系统；24、进气口；31、收料机构；32、电晕处理机构。

具体实施方式