[实用新型]太阳能电池烧结炉带有效
申请号: | 201320868705.6 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203644811U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 孙双庆;范林青;刘俊岭 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 烧结炉 | ||
1.一种太阳能电池烧结炉带,用于对太阳能电池片(40)进行烧结,其特征在于,包括:网带(10);
支架,固定设置在所述网带(10)上,包括相对设置并沿所述太阳能电池片(40)的传输方向延伸的第一支撑部(21)和第二支撑部(31),所述太阳能电池片(40)设置在第一支撑部(21)和第二支撑部(31)之间,并与所述网带(10)间隔设置。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第一支撑部(21)包括相连接的第一连接段(211)和设置在所述第一连接段(211)下侧的第二连接段(212),所述第一连接段(211)和所述第二连接段(212)之间形成第一下凹拐角(215),所述第二支撑部(31)包括相连接的第三连接段(311)和设置在所述第三连接段(311)下侧的第四连接段(312),所述第三连接段(311)和所述第四连接段(312)之间形成第二下凹拐角(315),所述太阳能电池片(40)的相对两侧分别支撑在所述第一下凹拐角(215)和第二下凹拐角(315)处。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第二连接段(212)靠近所述第一下凹拐角(215)的位置处具有第一水平接触段(217),所述第四连接段(312)靠近所述第二下凹拐角(315)的位置处具有第二水平接触段(317),所述第一水平接触段(217)和所述第二水平接触段(317)位于同一高度,所述太阳能电池片(40)的相对两侧分别支撑在第一水平接触段(217)和所述第二水平接触段(317)上。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第一水平接触段(217)和所述第二水平接触段(317)的宽度为0.2至1.5mm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第一支撑部(21)还包括相连接的第五连接段(213)和设置在所述第五连接段(213)下侧的第六连接段(214),所述第五连接段(213)与所述第六连接段(214)连接,并设置在所述第六连接段(214)下侧,所述第六连接段(214)和所述第五连接段(213)之间形成第三下凹拐角(216),所述第二支撑部(31)还包括相连接的第七连接段(313)和设置在所述第七连接段(313)下侧的第八连接段(314),所述第七连接段(313)与所述第八连接段(314)连接,并设置在所述第八连接段(314)下侧,所述第八连接段(314)和所述第七连接段(313)之间形成第四下凹拐角(316)。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第六连接段(214)靠近所述第三下凹拐角(216)的位置处具有第三水平接触段(218),所述第八连接段(314)靠近所述第四下凹拐角(316)的位置处具有第四水平接触段(318),所述第三水平接触段(218)和所述第四水平接触段(318)位于同一高度,所述太阳能电池片(40)的相对两侧分别支撑在第三水平接触段(218)和所述第四水平接触段(318)上。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第三水平接触段(218)和所述第四水平接触段(318)的宽度为0.2至1.5mm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述第一支撑部(21)的外侧设置有第一辅助支撑部(22),所述第二支撑部(31)的外侧设置有第二辅助支撑部(32),所述第一辅助支撑部(22)和所述第二辅助支撑部(32)均固定设置在所述网带(10)上。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池烧结炉带,其特征在于,所述支架包括第一支架(20)和第二支架(30),所述第一支撑部(21)位于所述第一支架(20)上,所述第二支撑部(31)位于所述第二支架(30)上,所述第一支架(20)和所述第二支架(30)镜面对称。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的