[实用新型]太阳能电池烧结炉带有效
申请号: | 201320868705.6 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203644811U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 孙双庆;范林青;刘俊岭 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 烧结炉 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池加工领域,具体而言,涉及一种太阳能电池烧结炉带。
背景技术
单晶硅片的标准尺寸为156*156mm,厚度180μm左右,电池片经过印刷之后进入烧结炉进行烧结。
如图1所示,现有技术中通常采用的单晶太阳能电池烧结炉带包括网带10’与固定于网带10’上的用于支撑电池片的支架20’,因太阳能电池的栅线与烧结炉带的支架20’之间的支点有接触,容易损伤栅线,影响电池质量。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种太阳能电池烧结炉带,以解决现有技术中太阳能电池烧结炉带易影响电池质量的问题。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种太阳能电池烧结炉带,用于对太阳能电池片进行烧结,包括:网带;支架,固定设置在网带上,包括相对设置并沿太阳能电池片的传输方向延伸的第一支撑部和第二支撑部,太阳能电池片设置在第一支撑部和第二支撑部之间,并与网带间隔设置。
进一步地,第一支撑部包括相连接的第一连接段和设置在第一连接段下侧的第二连接段,第一连接段和第二连接段之间形成第一下凹拐角,第二支撑部包括相连接的第三连接段和设置在第三连接段下侧的第四连接段,第三连接段和第四连接段之间形成第二下凹拐角,太阳能电池片的相对两侧分别支撑在第一下凹拐角和第二下凹拐角处。
进一步地,第二连接段靠近第一下凹拐角的位置处具有第一水平接触段,第四连接段靠近第二下凹拐角的位置处具有第二水平接触段,第一水平接触段和第二水平接触段位于同一高度,太阳能电池片的相对两侧分别支撑在第一水平接触段和第二水平接触段上。
进一步地,第一水平接触段和第二水平接触段的宽度为0.2至1.5mm。
进一步地,第一支撑部还包括相连接的第五连接段和设置在第五连接段下侧的第六连接段,第五连接段与第六连接段连接,并设置在第六连接段下侧,第六连接段和第五连接段之间形成第三下凹拐角,第二支撑部还包括相连接的第七连接段和设置在第七连接段下侧的第八连接段,第七连接段与第八连接段连接,并设置在第八连接段下侧,第八连接段和第七连接段之间形成第四下凹拐角。
进一步地,第六连接段靠近第三下凹拐角的位置处具有第三水平接触段,第八连接段靠近第四下凹拐角的位置处具有第四水平接触段,第三水平接触段和第四水平接触段位于同一高度,太阳能电池片的相对两侧分别支撑在第三水平接触段和第四水平接触段上。
进一步地,第三水平接触段和第四水平接触段的宽度为0.2至1.5mm。
进一步地,第一支撑部的外侧设置有第一辅助支撑部,第二支撑部的外侧设置有第二辅助支撑部,第一辅助支撑部和第二辅助支撑部均固定设置在网带上。
进一步地,支架包括第一支架和第二支架,第一支撑部位于第一支架上,第二支撑部位于第二支架上,第一支架和第二支架镜面对称。
应用本实用新型的技术方案,用于对太阳能电池片进行烧结的太阳能电池烧结炉带包括:网带;支架,固定设置在网带上,包括相对设置并沿太阳能电池的传输方向延伸的第一支撑部和第二支撑部,太阳能电池设置在第一支撑部和第二支撑部之间,并与网带间隔设置。通过设置第一支撑部和第二支撑部,并使太阳能电池设置在第一支撑部和第二支撑部之间的方式,可以使太阳能电池通过两个斜支撑部进行支撑,同时太阳能电池的栅线与烧结炉带的支架之间不会有接触,因此可以避免损伤栅线,保证电池质量。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1示出了现有技术中的太阳能电池烧结炉带的结构示意图;
图2示出了根据本实用新型的实施例的太阳能电池烧结炉带的结构示意图;
图3示出了根据图2的A处的放大结构示意图;
图4示出了根据图2的B处的放大结构示意图;
图5示出了根据图2的C处的放大结构示意图;以及
图6示出了根据图2的D处的放大结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的