[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320869809.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203644780U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；其特征在于，还包括：
形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；
在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
形成在所述透明基板和所述TFT的栅极之间的第二绝缘层的图案，所述第二绝缘层的图案对应所述TFT的沟道区域；
所述第二绝缘层的图案与所述TFT的栅极的厚度之和大于等于所述第一绝缘层的图案的厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
形成在所述刻蚀阻挡层的图案表面的第一透明电极，所述第一透明电极与所述TFT的漏极相接触；
形成在所述第一透明电极表面的钝化层的图案，所述钝化层的图案覆盖所述TFT区域；
形成在所述钝化层表面的第二透明电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；
且所述第一透明电极为面状结构，所述第二透明电极为间隔排列的条状结构。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的图案和所述第二绝缘层的图案均采用有机树脂材料制成。
6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一绝缘层的图案同时对应所述TFT的源极区域和所述TFT的漏极区域时，所述TFT的源极区域和所述TFT的漏极区域分别对应的所述第一绝缘层的图案的厚度相等；
所述第一绝缘层的图案的厚度为1μm－3μm。
7.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层的图案采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料制成。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-7任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
