[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）显示技术的不断发展，各种新型半导体元件及其在显示装置中的应用技术也随之得到了飞跃性的进步。

在现有的显示面板TFT的制造过程当中，越来越多的厂商开始尝试采用氧化物TFT取代a-Si（非晶硅）TFT或LTPS（低温多晶硅）TFT，以期获得具有更高质量的显示产品。氧化物TFT（即Oxide TFT）背板技术，是与传统的a-Si TFT制程相近的一种背板技术，该技术将原本应用于a-Si TFT的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体材料，如现在应用最为广泛的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)材料，来形成TFT的半导体有源层。现有技术中一种典型的氧化物TFT的阵列基板结构如图1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的栅极11、栅绝缘层12以及由IGZO形成的氧化物半导体有源层13，半导体有源层13的表面通过构图工艺形成有具有过孔的刻蚀阻挡层14，过孔A、B分别贯穿刻蚀阻挡层14,以暴露出底部的半导体有源层13，TFT的源极151和漏极152分别通过过孔A、B与半导体有源层13导通。

采用氧化物TFT相对于a-Si TFT具有制备温度要求低，迁移率高等优势，该技术可应用于高频显示和高分辨率显示产品，且相对于LTPS TFT技术具有设备投资成本低、运营保障成本低等优点。但其不足之处在于，在如图1所示的氧化物TFT阵列基板中，TFT的源极151和漏极152分别与栅极11具有较长的一段交叠区域，这样一来，在通电的情况下，由于层级差异TFT的源极151与栅极11之间将产生寄生电容Cgs，同理TFT的漏极152与栅极11之间也将产生寄生电容Cgd，在栅线11通过电压控制TFT开关的瞬间，由于寄生电容的存在，TFT关闭时栅线11上的电压信号由高到低的变化会使得漏极152相应输出跳变电压，从而引起像素中液晶电压的突然降低，这将严重影响像素电极电压的准确性，使得显示画面闪烁。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以降低TFT的源、漏电极与栅极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。

本实用新型实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；其中，还包括：

形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域。

在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。

进一步地，所述阵列基板还包括：

形成在所述透明基板和所述TFT的栅极之间的第二绝缘层的图案，所述第二绝缘层的图案对应所述TFT的沟道区域；

所述第二绝缘层的图案与所述TFT的栅极的厚度之和大于等于所述第一绝缘层的图案的厚度。

进一步地，所述阵列基板还包括：

形成在所述刻蚀阻挡层的图案表面的第一透明电极，所述第一透明电极与所述TFT的漏极相接触；

形成在所述第一透明电极表面的钝化层的图案，所述钝化层的图案覆盖所述TFT区域；

形成在所述钝化层表面的第二透明电极。

其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；

且所述第一透明电极为面状结构，所述第二透明电极为间隔排列的条状结构。

需要说明的是，所述第一绝缘层的图案和所述第二绝缘层的图案均采用有机树脂材料制成。

进一步地，当所述第一绝缘层的图案同时对应所述TFT的源极区域和所述TFT的漏极区域时，所述TFT的源极区域和所述TFT的漏极区域分别对应的所述第一绝缘层的图案的厚度相等；

所述第一绝缘层的图案的厚度为1μm－3μm。

在本实用新型实施例中，所述半导体有源层的图案采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料制成。

另一方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，所述显示装置可以包括如上所述的阵列基板。