[实用新型]改进结构的平面工艺二极管有效
| 申请号： | 201320871227.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203760484U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张书郎 | 申请（专利权）人： | 湖北烨和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/488 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 432900 湖北省孝感市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进 结构 平面 工艺 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：包括凸台式铜基座，凸台式铜基座上方焊接有阶梯式引线，凸台式铜基座外部套有铜壳。
2.根据权利要求1所述的改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：所述的凸台式铜基座，包括：铜基座焊接台（1），铜基座焊接台（1）上设置有蚀刻止液面（2），蚀刻止液面（2）与卡环边（3）相连。
3.根据权利要求1所述的改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：所述的阶梯式引线上设置有引线止液叠层（4），引线止液叠层（4）下方为引线焊接面（5），引线焊接面（5）下方焊接有晶粒（6）。
4.根据权利要求1所述的改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：所述的铜壳上设置有铜基座直纹（6）。
5.根据权利要求2所述的改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：所述的蚀刻止液面（2）高度为0.5—5mm。
6.根据权利要求2所述的改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：所述的卡环边（3）的内槽中套有胶环，胶环内部灌满液态黑胶进行二次保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北烨和电子科技有限公司，未经湖北烨和电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320871227.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有自适应能力的颜色恒常方法
- 下一篇：一种有机电致发光显示面板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
