[实用新型]改进结构的平面工艺二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体地说是一种改进结构的平面工艺二极管。

背景技术

目前，公知的平面工艺二极管采用的铜基座为整体式，在晶粒蚀刻过程中大部分铜被浸泡于蚀刻液中，本不需要产生反应的铜与蚀刻酸液发生反应，导致蚀刻晶粒的酸液被消耗浪费，酸液与铜基座发生反应过程中，导致蚀刻晶粒的速率发生快速增加，严重影响蚀刻的角度、深度和均匀性，同时产生大量的铜离子，该离子在后续处理中难以清理干净，导致产品造成离子污染，最终产品特性不稳定、可靠性差、寿命短。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种焊接性能好、酸式蚀刻速率和蚀刻均匀性好的改进结构的平面工艺二极管。

本实用新型一种改进结构的平面工艺二极管，包括：凸台式铜基座，凸台式铜基座上方焊接有阶梯式引线，凸台式铜基座外部套有铜壳；

所述的凸台式铜基座，包括：铜基座焊接台，铜基座焊接台上设置有蚀刻止液面，蚀刻止液面与卡环边相连；

所述的阶梯式引线上设置有引线止液叠层，引线止液叠层下方为引线焊接面，引线焊接面下方焊接有晶粒；

所述的蚀刻止液面高度为0.5—5mm；

所述的铜壳上设置有铜基座直纹；

所述的卡环边的内槽中套有胶环，胶环内部灌满液态黑胶进行二次保护。

本实用新型一种改进结构的平面工艺二极管是这样实现的：将引线放入设计的焊接盘中，引线焊接面上放置焊料，依次叠加开放型晶粒、放置焊料；铜基座焊接台进入隧道焊接炉中焊接，焊接出的产品通过特制的酸式蚀刻治具装填，将酸液深度控制在蚀刻止液面，同时引线止液叠层可以有效地将酸液控制在晶粒与蚀刻止液面之间，采用振荡式进行离子交换蚀刻，这样既保证了晶粒被很好的蚀刻，又使蚀刻液体能够有效地高速交换，最后形成高质量连接台面，使产品呈现优良一致的特性给予了有效的保障，最后采用白胶保护，卡环边内套阻燃胶环，灌上黑胶二次保护，直纹用于挤压到散热片上，实现二极管装配成整流器。

本实用新型一种改进结构的平面工艺二极管的优点是：采用改良的铜基座可以提高焊接性能，酸式蚀刻速率和蚀刻均匀性好，避免大面积铜浸泡于蚀刻酸液中，释放出大量铜离子，导致产品形成铜粒子污染，从而提高产品的可靠性和延长产品使用寿命，降低产品成本。

附图说明

图1引线结构示意图；

图2铜基座结构示意图；

图3成品结构示意图；

图4成品解剖结构示意图。

具体实施方式

本实用新型一种改进结构的平面工艺二极管，包括：凸台式铜基座，凸台式铜基座上方焊接有阶梯式引线，凸台式铜基座外部套有铜壳；

所述的凸台式铜基座，包括：铜基座焊接台1，铜基座焊接台1上设置有蚀刻止液面2，蚀刻止液面2与卡环边3相连；

所述的阶梯式引线上设置有引线止液叠层4，引线止液叠层4下方为引线焊接面5，引线焊接面5下方焊接有晶粒6；

所述的蚀刻止液面2高度为0.5—5mm；

所述的铜壳上设置有铜基座直纹7；

所述的卡环边3的内槽中套有胶环，胶环内部灌满液态黑胶进行二次保护。