[实用新型]湿法刻蚀绝缘清洗机水膜保护装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种湿法刻蚀绝缘清洗装置，特别涉及一种湿法刻蚀绝缘清洗机水膜保护装置。

背景技术

刻蚀是半导体、微电子及LED 制造过程中的一个重要工序，刻蚀是利用化学或物理方法有选择性地从硅片或者蓝宝石衬底表面去除不需要的材料的过程。随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

在使用湿法刻蚀绝缘清洗机的生产过程中，由于槽体上方酸雾影响，与硅片表面形成的磷硅玻璃产生强烈反应。导致硅片在湿法刻蚀绝缘清洗机出料以后方阻提升过大，影响硅片质量，而且硅片在槽体2#、3#时酸雾时常凝结形成酸液滴落在硅片表面，对硅片的外观影响较为严重。

发明内容

本实用新型的目的就是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种湿法刻蚀绝缘清洗机水膜保护装置。

其技术方案是：包括快速接头、水刀管路、水刀、水刀支架、单向阀，所述的水刀管路的一侧连接快速接头，快速接头外侧连接单向阀，水刀管路的另一侧连接水刀，所述水刀管路的端部设有水刀支架，通过水刀支架固定水刀管路的位置。

上述的水刀的进水口设有连接头，出水口处设有多个毛细孔，在出水主孔与毛细孔之间设有憋压槽。

本实用新型的有益效果是：在入料时通过水刀加装一层水膜，形成保护层，隔绝了酸雾与硅片表面的接触，从而保护了硅片表面的磷硅玻璃，保证了硅片出料后的方阻提升在一个可控的范围之内，有效的控制了方阻的提升，对于硅片的质量进行了有力的保障，而且隔绝了酸雾对硅片表面的影响，使整个硅片出料后的外观得到了极大地改善。

附图说明

附图1是本实用新型的结构示意图；

上图中：快速接头1、水刀管路2、水刀3、水刀支架4、单向阀5、出水主孔6、毛细孔7、连接头8、憋压槽9。

具体实施方式

结合附图1，对本实用新型作进一步的描述：

本实用新型包括快速接头1、水刀管路2、水刀3、水刀支架4、单向阀5，所述的水刀管路2的一侧连接快速接头1，快速接头1外侧连接单向阀5，给水管路连接单向阀5，并在硅片入料时通过感应灯感应，从而使设备电脑得到信号，然后水刀运行，开始生产，避免了水浪费。

水刀管路2的另一侧连接水刀3，所述水刀管路2的端部设有水刀支架4，通过水刀支架4固定水刀管路2的位置。其中，水刀3的进水口设有连接头8，出水口处设有多个毛细孔7，在出水主孔6与毛细孔7之间设有憋压槽9，另外，出水孔数量多而且小可以更好的控制出水量，使水膜均匀。

另外，在水刀下部改造引轮一根，由原来的引轮直径为21.5CM改为27.5CM，在硅片运行时，会产生一个倾斜度，使硅片表面多余的水去除，另水膜均匀。还可以避免多余水分带到2#、3#药槽，降低药液浓度。

本实用新型在入料时通过水刀加装一层水膜，形成保护层，隔绝了酸雾与硅片表面的接触，从而保护了硅片表面的磷硅玻璃，保证了硅片出料后的方阻提升在一个可控的范围之内，有效的控制了方阻的提升，对于硅片的质量进行了有力的保障，而且隔绝了酸雾对硅片表面的影响，使整个硅片出料后的外观得到了极大地改善。