[实用新型]提高抽真空效率的装置及采用其的3290溅射机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体装置，特别涉及一种提高抽真空效率的装置即采用其的3290溅射机台。

背景技术

目前的3290溅射机台工艺气体由厂务直接输送过来，机台没有流量调节。机台只能靠自身的抽真空系统将工艺完后剩余在气体管道的气体抽走。一根主管路进到机台后，分到Process AR、RF以及2#、3#和4#的BSA，BSA的开启与否要看当前Station是否设定了Heater。腔体的工艺气体压力为所有位置的总和。当工艺结束后，机台会自动关闭Master Ar，Process Ar保持打开状态，利用冷泵将管道的剩余气体抽走。由于只从管路的一端抽真空，管路形成真空死角，很难将管路的剩余气体抽走。目前3290溅射机台做完工艺后，管路还剩余一定量的AR气体，而Process Ar保持打开的状态，相当于抽单口的管路，整个气路不通，这种抽真空的方式相当困难，所以腔体的真空要进入到5.0e^-7以下大约需要半个小时的时间，这样就影响了机台的抽空效率，使得机台的抽真空时间加长。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有3290溅射机台工艺完成后抽真空时间长的问题，提供一种提高3290溅射机台抽真空效率的装置。

实现本实用新型目的的技术方案是：一种提高抽真空效率的装置，包括两个24V继电器，每个继电器分别连接常闭开关和常开开关，其中继电器的输出端连接常闭开关的输入端，常闭开关的输出端连接常开开关的输入端，再将两个常开开关与一个时间继电器串联连接。

上述的提高抽真空效率的装置，所述时间继电器为延时继电器。

一种采用上述提供抽真空效率装置的3290溅射机台，气体进气管路一根主管路进到机台后，分到Process AR、RF以及2#、3#和4#，管路V5为进入腔体工艺的Ar管路，管路V1为RF管路为进入到刻蚀腔的Ar气体，管路V2、V3、V4分别为连接到2#、3#、4#，为Heater的Back side Ar，所述每个管路均有控制管路开闭的电磁阀，前述提高抽真空效率的装置的两个时间继电器分别连接3290溅射机台的Master Ar和Hi Vac的电磁阀上，所述时间继电器与管路V1的电磁阀连接。

本实用新型具有积极的效果：（1）使用本实用新型的装置形成了一路两头相通的管路，抽真空不存在阻碍，有效缩短抽真空的时间，机台在做完片子后10分钟内便能将腔体真空抽至5.0e-7以下，节省约20分钟，提高生产效率。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中

图1为本实用新型提高抽真空效率的装置的设计电路图框图。

图2为本实用新型3290溅射机台的Ar管路图。

其中：1 管路V1，2 管路V2，3 管路V3，4 管路V4，5 管路V5，6 常闭开关，7常开开关，8 时间继电器。

具体实施方式

（实施例1）

本实用新型的3290溅射机台，气体进气管路一根主管路进到机台后，分到Process AR、RF以及2#、3#和4#，管路V55为进入腔体工艺的Ar管路，管路V11为RF管路为进入到刻蚀腔的Ar气体，管路V22、管路V33、管路V44分别为连接到2#、3#、4#，为Heater的Back side Ar，所述每个管路均有控制管路开闭的电磁阀，

将两个分别接常闭开关6和常开开关7的24V8继电器分别接至Master Ar和Hi Vac的电磁阀上，用这两个电磁阀的信号控制继电器，然后再与时间继电器串联在一起，进而控制管路V11的RF电磁阀。当Master Ar和Hi Vac阀同时打开时，RF电磁阀不得电而关闭。当Master Ar关闭，Hi Vac阀打开时，RF电磁阀打开抽Ar管路。

当Master Ar和Hi Vac阀同时关闭时（例如冷泵再生），RF电磁阀关闭。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。