[实用新型]平板式PECVD设备及其气路装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及PECVD装置技术领域，更具体地，涉及一种平板式PECVD设备及其气路装置。

背景技术

目前，平板式PECVD设备中，沉积氮化硅膜用的气路一般包括4、6、8路等，每一个气路上面开有不同数量的特气气孔，该特气气孔将管路中的气体引人到反应腔室中，发生反应沉积出氮化硅膜。氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性，在太阳能电池上得到广泛的应用。

平板式PECVD和管式PECVD在工业生产中得到了广泛应用。相对管式PECVD，平板式PECVD有着均匀性好和产量高的特点。平板式PECVD设备被广泛应用。但是平板式PECVD设备在运行一段时间后，因为各气路特气孔会沉积氮化硅和硅颗粒等发生不同程度的堵塞，出现各片氮化硅膜层厚度不一，经工艺调整不能解决的便需要对设备进行维护。从而严重影响着PECVD设备运行的稳定性，并增加了设备维护的成本，降低了设备的生产率。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种平板式PECVD设备及其气路装置，以解决现有技术中的平板式PECVD气路装置的特气孔容易堵塞的问题。

为解决上述技术问题，根据本实用新型的一个方面，提供了一种平板式PECVD气路装置，该平板式PECVD气路装置包括：供气管道，供气管道上设置有多个特气气孔；多个磁性接头，设置在供气管道上并与多个特气气孔一一对应地连接。

进一步地，平板式PECVD气路装置还包括连接管道，连接管道连接在气源和供气管道之间。

进一步地，连接管道包括总管道和与总管道连接的多根支流管道，总管道与气源连接，多根支流管道均与供气管道连接。

进一步地，平板式PECVD气路装置还包括流量计，流量计设置在总管道上。

进一步地，供气管道为磁性管道。

进一步地，多个特气气孔沿供气管道的长度方向均匀设置，且各特气气孔的出气方向朝向平板式PECVD设备的工艺腔。

进一步地，多个磁性接头一一对应地设置在多个特气气孔的靠近工艺腔的一侧。

进一步地，多个磁性接头一一对应地嵌设在特气气孔内。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种平板式PECVD设备，该平板式PECVD设备包括平板式PECVD气路装置，平板式PECVD气路装置为上述的平板式PECVD气路装置。

应用本实用新型的技术方案，由于特气气孔上一一对应地设置有磁性接头，当特气从特气气孔进入工艺腔的过程中，特气被激发产生等离子体。而磁性接头能够产生磁场，在等离子体产生并沉积的过程中，磁场能够使等离子体发生偏转，阻止等离子体在特气气孔处成核并沉积，避免特气气孔被沉积的薄膜封堵，进而延长特气气孔的使用周期。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了本实用新型的平板式PECVD气路装置主视图。

附图标记说明：

10、供气管道；11、特气气孔；20、磁性接头；30、连接管道；31、总管道、32、支流管道；40、流量计。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

术语解释：

PECVD：是等离子增强型化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）简称。PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

特气：平板式PECVD中通入的SiH4和NH3气体。

片间色差：同一石墨舟上镀膜后片与片之间的膜厚与颜色差别。