[实用新型]伏安特性测试仪有效
申请号: | 201320893243.3 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203688696U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 张瑜 | 申请(专利权)人: | 上海博泰悦臻网络技术服务有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 200030 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 伏安 特性 测试仪 | ||
1.一种伏安特性测试仪,其特征在于,包括:控制器,数模转换器,运算放大器,开关管,采样电阻,测试端口及模数转换器;所述控制器与所述数模转换器及所述模数转换器耦接,所述运算放大器的第一输入端与所述数模转换器耦接,所述运算放大器的第二输入端与所述采样电阻耦接,所述运算放大器的输出端与所述开关管的控制极耦接,所述开关管与所述测试端口及所述采样电阻串联,所述测试端口的一端与所述模数转换器耦接。
2.如权利要求1所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述开关管为NMOS管或PMOS管。
3.如权利要求2所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述开关管为NMOS管,所述测试端口的第一端与预设的正电源耦接,所述测试端口的第二端与所述开关管的第二极耦接,所述采样电阻第一端与所述开关管的第一极耦接,所述采样电阻第二端接地,所述测试端口的第二端与所述模数转换器耦接。
4.如权利要求2所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述开关管为NMOS管,所述开关管的第二极与所述预设的正电源耦接,所述开关管的第一极与所述测试端口的第一端耦接,所述采样电阻的第一端与所述测试端口的第二端耦接,所述采样电阻的第二端接地,所述测试端口的第一端与所述模数转换器耦接。
5.如权利要求2所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述开关管为PMOS管,所述采样电阻的第一端与预设的正电源耦接,所述采样电阻的第二端与所述开关管的第一极耦接,所述测试端口第一端与所述开关管的第二极耦接,所述测试端口的第二端接地,所述测试端口的第一端与所述模数转换器耦接。
6.如权利要求2所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述开关管为PMOS管,所述采样电阻的第一端与预设的正电源耦接,所述采样电阻的第二端与所述测试端口的第一端耦接,所述开关管的第一极与所述测试端口的第二端耦接,所述开关管的第二极接地,所述测试端口的第二端与所述模数转换器耦接。
7.如权利要求1所述的伏安特性测试仪,其特征在于,还包括:与所述控制器耦接的存储器。
8.如权利要求7所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述存储器包括以下一种:SD卡、硬盘、EERROM、NOR Flash或Nand Flash。
9.如权利要求1所述的伏安特性测试仪,其特征在于,还包括:与所述控制器耦接的显示器。
10.如权利要求9所述的伏安特性测试仪,其特征在于,所述显示器包括以下一种:LCD显示器或LED显示器、OLED显示器或CRT显示器。
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