[实用新型]伏安特性测试仪

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件测试领域，尤其涉及一种伏安特性测试仪。

背景技术

伏安特性是指加在电气设备或者元件两端电压和通过电流的关系，伏安特性曲线常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

现有的伏安特性测试仪结构简单，但是需要手动操作测试，容易出错且效率低下。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的问题是如何提高伏安特性测试的效率。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种伏安特性测试仪，包括：控制器，数模转换器，运算放大器，开关管，采样电阻，测试端口及模数转换器；所述控制器与所述数模转换器及所述模数转换器耦接，所述运算放大器的第一输入端与所述数模转换器耦接，所述运算放大器的第二输入端与所述采样电阻耦接，所述运算放大器的输出端与所述开关管的控制极耦接，所述开关管与所述测试端口及所述采样电阻串联，所述测试端口的一端与所述模数转换器耦接。

可选的，所述开关管为NMOS管或PMOS管。

可选的，所述开关管为NMOS管，所述测试端口的第一端与预设的正电源耦接，所述测试端口的第二端与所述开关管的第二极耦接，所述采样电阻第一端与所述开关管的第一极耦接，所述采样电阻第二端接地，所述测试端口的第二端与所述模数转换器耦接。

可选的，所述开关管为NMOS管，所述开关管的第二极与所述预设的正电源耦接，所述开关管的第一极与所述测试端口的第一端耦接，所述采样电阻的第一端与所述测试端口的第二端耦接，所述采样电阻的第二端接地，所述测试端口的第一端与所述模数转换器耦接。

可选的，所述开关管为PMOS管，所述采样电阻的第一端与预设的正电源耦接，所述采样电阻的第二端与所述开关管的第一极耦接，所述测试端口第一端与所述开关管的第二极耦接，所述测试端口的第二端接地，所述测试端口的第一端与所述模数转换器耦接。

可选的，所述开关管为PMOS管，所述采样电阻的第一端与预设的正电源耦接，所述采样电阻的第二端与所述测试端口的第一端耦接，所述开关管的第一极与所述测试端口的第二端耦接，所述开关管的第二极接地，所述测试端口的第二端与所述模数转换器耦接。

可选的，所述伏安特性测试仪还包括：与所述控制器耦接的存储器。

可选的，所述存储器包括以下一种：SD卡、硬盘、EERROM、NOR Flash或Nand Flash。

可选的，所述伏安特性测试仪还包括：与所述控制器耦接的显示器。

可选的，所述显示器包括以下一种：所述显示器包括以下一种：LCD显示器或LED显示器、OLED显示器或CRT显示器。

与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下优点：

通过将待测元件与测试仪的测试端口耦接，模数转换器与测试端口耦接，获取测试端口的电压值并发送给控制器，控制器控制数模转换器输出不同的电压值，并输入运算放大器的第一输入端，使得运算放大器输出相应电压，启动开关管工作，由于开关管、采样电阻和待测元件串联，则开关管、采样电阻和待测元件上的电流相等，可以通过数模转换器的输出电压值与采样电阻阻值之间的运算得到采样电阻上的电流，根据获取的测试端口的电压值，通过运算可以得到待测元件的压降，故利用压降与电流值即可得到待测元件的伏安特性。

附图说明

图1是本实用新型实施例中的一种伏安特性测试仪的装置结构示意图；

图2是本实用新型实施例中的一种伏安特性测试仪的电路结构图；

图3是本实用新型实施例中的另一种伏安特性测试仪的电路结构图；

图4是本实用新型实施例中的其他一种伏安特性测试仪的电路结构图；

图5是本实用新型实施例中的一种伏安特性测试仪的电路结构图。

具体实施方式

现有的伏安特性测试仪的结构比较简单，但是需要手动操作进行伏安特性的测试，容易出错且效率低下。

针对上述问题，本实用新型实施例通过将待测元件与测试仪的测试端口耦接，模数转换器与测试端口耦接，获取测试端口的电压值并发送给控制器，控制器控制数模转换器输出不同的电压值，并输入运算放大器的第一输入端，使得运算放大器输出相应电压，启动开关管工作，由于开关管、采样电阻和待测元件串联，则开关管、采样电阻和待测元件上的电流相等，可以通过数模转换器的输出电压值与采样电阻阻值之间的运算得到采样电阻上的电流，根据获取的测试端口的电压值，通过运算可以得到待测元件的压降，故利用压降与电流值即可得到待测元件的伏安特性。