[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，具备：

基板；

第一包覆层，其形成在所述基板上；

第一引导层，其形成在所述第一包覆层上；

活性层，其形成在所述第一引导层上；

第二引导层，其形成在所述活性层上；

接触层，其形成在所述第二引导层上；

包覆电极，其形成在所述接触层上，由导电性金属氧化物构成；和

焊盘电极，其与所述包覆电极电连接，

所述半导体发光元件具有包含所述接触层的条状的台面型构造，

所述包覆电极的宽度比所述台面型构造的宽度大，

所述包覆电极覆盖所述台面型构造的上表面以及侧面，并且与所述接触层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述台面型构造中的上表面与下表面之间的级差为10nm以上且200nm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述半导体发光元件还具备形成在所述第二引导层与所述接触层之间的第二包覆层，

所述第二包覆层具有凸部，

所述台面型构造具有所述第二包覆层的所述凸部、和形成在所述第二包覆层的所述凸部上的所述接触层。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，

所述包覆电极覆盖所述台面型构造的上表面及侧面、以及所述第二包覆层中的位于所述台面型构造的侧方的侧方部分的上表面，

所述第二包覆层的所述侧方部分与所述包覆电极进行肖特基接触。

5.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，

在所述第二包覆层中的位于所述台面型构造的侧方的侧方部分，形成有与所述第二包覆层的导电型相反的导电型的表面层。

6.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，

在所述第二包覆层中的位于所述台面型构造的侧方的侧方部分，形成有高电阻部。

7.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，

在所述第二引导层以及所述第二包覆层中的位于所述台面型构造的侧方的部分形成有高电阻部。

8.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中，

所述高电阻部是通过利用了等离子的等离子处理将所述第二包覆层的所述侧方部分的上部改性后的改性部，

所述等离子是氟等离子或氧等离子，

所述高电阻部含有氟或氧。

9.根据权利要求6或7所述的半导体发光元件，其中，

所述高电阻部是注入了离子的离子注入部，

所述离子是硼离子、氧离子、锌离子、铁离子或硅离子，

所述高电阻部含有硼、氧、锌、铁或硅。

10.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，

所述半导体发光元件还具备高电阻层，该高电阻层形成在所述第二包覆层中的位于所述台面型构造的侧方的侧方部分的上表面上，且形成在所述台面型构造的侧面上，

所述高电阻层含有铝。

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述半导体发光元件还具备：

Al含有层，其形成在所述第二引导层与所述接触层之间，含有铝；和

第二包覆层，其形成在所述Al含有层与所述接触层之间，

所述台面型构造具有所述第二包覆层、和形成在所述第二包覆层上的所述接触层，

所述Al含有层的Al成分比高于所述第二包覆层的Al成分比。

12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第二引导层具有凸部，

所述台面型构造具有所述第二引导层的所述凸部、和形成在所述第二引导层的所述凸部上的所述接触层。

13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一包覆层是AlInN层。

14.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一包覆层是具有AlInN层和GaN层的超晶格层。