[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及输出蓝紫色～红色的可见范围的光的半导体激光器(LD)以及超辐射发光二极管(SLD)等半导体发光元件。

背景技术

参照图22对专利文献1中记载的现有的半导体发光元件进行说明。图22是表示现有的半导体发光元件(激光二极管构造100)的构造的立体图。

如图22所示，在蓝宝石基板等的基板101上，依次形成有n型接触层110、n型下部包覆层(n-type lower cladding layer)130、n型下部波导层(n-type lower waveguide layer)140、多重量子阱(MQW)区域150、p型限制层(p-type confinement layer)160以及p型上部波导层170。

上部包覆层180形成在p型上部波导层170中的位于MQW区域150的活性区域155的上方的部分上。绝缘层185形成为夹在上部包覆层180两侧而相对。

由金属构成的p电极190形成在上部包覆层180上以及绝缘层185上。另一方面，由金属构成的n电极120形成在n型接触层110的露出区域上。

作为上部包覆层180的材料，不使用半导体，而使用透明电极材料(例如导电性金属氧化物)。具体来说，通过使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)，能够使上部包覆层180同时具有包覆层的功能以及p型电极的功能。

根据上述构成，提供一种进行维持高光限制系数，并且使串联电阻大幅降低的单模式动作的激光二极管。

作为在半导体发光元件中应用了透明电极材料的技术，除了专利文献1中记载的技术之外，还有专利文献2以及专利文献3中记载的技术。在专利文献2中记载的技术中，采用由ITO构成的包覆层电极。在专利文献3中记载的技术中，采用由ITO构成的上部透明电极膜。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2004-289157号公报

专利文献2：JP特开2006-41491号公报

专利文献3：JP特开201021271号公报

发明内容

发明要解决的课题

本申请发明者进行研究后的结果，发现了在现有的半导体发光元件中，存在以下所示的问题。

在现有的半导体发光元件中，作为透明电极材料，采用当前特性最稳定的ITO。但是，现有的半导体发光元件，不具有台面型的光波导构造，因此横向的光限制较弱，存在引起阈值电流的增大的问题。

鉴于上述问题，本发明的目的在于，实现抑制了阈值电流的增大的半导体发光元件。

解决课题的手段

本发明所涉及的半导体发光元件具备：基板；形成在基板上的第一包覆层；形成在第一包覆层上的第一引导层；形成在第一引导层上的活性层；形成在活性层上的第二引导层；形成在第二引导层上的接触层；形成在接触层上的由导电性金属氧化物构成的包覆电极；和与包覆电极电连接的焊盘电极，所述半导体发光元件具有包含接触层的条状的台面型构造，包覆电极的宽度比台面型构造的宽度大，包覆电极覆盖台面型构造的上表面以及侧面，并且与接触层电连接。

发明效果

根据本发明所涉及的半导体发光元件，能够实现抑制了阈值电流的增大的高效率的半导体发光元件。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的半导体发光元件的构造的俯视图，具体来说，是从焊盘电极侧来观察的俯视图。

图2是表示实施方式1所涉及的半导体发光元件的构造的剖面图，具体来说，是沿着图1所示的II-II线的剖面图。

图3是表示实施方式1所涉及的半导体发光元件的构造的剖面图，具体来说，是沿着图1所示的III-III线的剖面图。

图4是示意性地示出实施方式1所涉及的半导体发光元件的动作的图。

图5(a)～图5(e)是表示实施方式1所涉及的半导体发光元件的制造方法的剖面图。

图6(a)～图6(d)是表示实施方式1所涉及的半导体发光元件的制造方法的剖面图。

图7是表示实施方式1的变形例所涉及的半导体发光元件的构造的剖面图。

图8(a)～图8(c)是表示半导体发光元件的一部分，具体来说，是表示前方端面的附近部分的构造的剖面图，图8(a)、图8(b)以及图8(c)分别是表示比较例的半导体发光元件、实施方式1所涉及的半导体发光元件、以及实施方式1的变形例所涉及的半导体发光元件的一部分的构造的剖面图。

图9是表示实施方式2所涉及的半导体发光元件的构造的剖面图。