[发明专利]制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法有效
申请号: | 201380001476.0 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103582563A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 荒濑秀和;小森知行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B32B27/00 | 分类号: | B32B27/00;H01L21/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 具有 水性 表面 以及 亲水性 背面 芯片 方法 | ||
1.一种制造方法,制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片,
所述制造方法包括如下工序:
工序(a),准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第1基板,并且所述芯片具备表面以及背面,所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接,且所述芯片的所述背面是亲水性的;
工序(b),使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触,获得由所述第1基板以及所述第2基板构成的层叠体,并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触;
工序(c),将所述层叠体浸渍在第1疏水性溶剂中,使所述蜡膜溶解于所述第1疏水性溶剂;
工序(d),去除所述第1基板,获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板,并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触,且所述芯片的所述表面露出;
工序(e),通过所述水膜保护所述芯片的所述背面,同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触有机溶液,该有机溶液是使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的,从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜,其中所述R1表示烃基或氟化烃,所述R2表示烷氧基,且所述Y表示卤素;和
工序(f),去除所述第2基板,从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述蜡膜是粘着性的。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述第1疏水性溶剂是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
在所述工序(e)中,将在表面附着了所述芯片的所述第2基板浸渍在所述有机溶液中。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述第2疏水性溶剂是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。
6.一种制造方法,制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片,
所述制造方法包括如下工序:
工序(a),准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第1基板,并且所述芯片具备表面以及背面,所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接,且所述芯片的所述背面是亲水性的;
工序(b),使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触,获得由所述第1基板以及所述第2基板构成的层叠体,并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触;
工序(c),将所述层叠体浸渍在第1疏水性溶剂中,使所述蜡膜溶解于所述第1疏水性溶剂;
工序(d),去除所述第1基板,获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板,并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触,且所述芯片的所述表面露出;
工序(e),通过所述水膜保护所述芯片的所述背面,同时使具有金膜的所述芯片的所述表面接触含有R1-SH的有机溶液,该有机溶液溶解于第2疏水性溶剂,使烷基或氟化烷基与所述芯片的所述表面结合来赋予防水性,并且所述R1表示烃基或氟化烃;和
工序(f),去除所述第2基板,从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其中,
所述蜡膜是粘着性的。
8.根据权利要求6所述的制造方法,其中,
所述第1疏水性溶剂是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
9.根据权利要求6所述的制造方法,其中,
在所述工序(e)中,将在表面附着了所述芯片的所述第2基板浸渍在所述有机溶液中。
10.根据权利要求6所述的制造方法,其中,
所述第2疏水性溶剂是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。
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