[发明专利]制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法

说明书

技术领域

本公开涉及制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法。

背景技术

专利文献1公开了一种将芯片那样的微小的构件20配置在基板10上的方法。该方法被称为“FSA法”。在FSA法中，如图15A所示，准备具备多个亲水性区域11以及包围该亲水性区域11的防水性区域12的基板10。接着，如图15B所示，将配置于基板10的构件20分散于实质上不溶于水的溶剂40，来准备构件含有液50。由于构件20的背面是亲水性的，因此构件20的背面能够与1个亲水性区域11接合。另一方面，表面是防水性的。不仅表面是防水性的，构件20的背面以外的面都是防水性的。

接着，如图15C所示，利用第1刮板(squeegee)61在多个亲水性区域11配置水30。然后，图15D所示，利用第2刮板62，涂敷构件含有液50，使构件含有液50与配置于亲水性区域11的水31接触。在该过程中，各构件20在配置于亲水性区域11的水31中移动。此时，亲水性背面面向亲水性区域11。然后，去除水31以及构件含有液50所含的溶剂，在亲水性区域11配置构件20。所配置的构件20的背面与亲水性区域11相接。专利文献1作为参照而编入本说明书。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7,730,610号说明书

发明内容

发明要解决的课题

本公开的目的在于，提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。

解决课题的手段

本公开所涉及的制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法，包括如下工序：

工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第1基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的；

工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第1基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触；

工序(c)，将所述层叠体浸渍在第1疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第1疏水性溶剂；

工序(d)，去除所述第1基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出；

工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触使R₁-Si(OR₂)₃或R₁-SiY₃溶解于第2疏水性溶剂而得到的有机溶液，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，并且所述R₁表示烃基或氟化烃，所述R₂表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和

工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。

发明效果

本公开提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。

附图说明

图1表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(a)。

图2表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(b)。

图3表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(c)。

图4表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(d)。

图5表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(e)。

图6表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图7表示图6后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图8表示图7后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图9表示图8后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图10表示图9后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图11表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图12表示图11后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图13表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图14表示图13后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。

图15A表示专利文献1中公开的FSA法的一个工序。

图15B表示专利文献1中公开的FSA法的一个工序。

图15C表示专利文献1中公开的FSA法的一个工序。

图15D表示专利文献1中公开的FSA法的一个工序。