[发明专利]半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，包括：

金属制的基板；形成于该基板之上的绝缘层；形成于该绝缘层上的多个布线图案；通过焊锡封装于该多个布线图案中的一个布线图案上的晶体管裸芯片；以及用于通过焊锡将形成于该晶体管裸芯片的上表面的电极和上述多个布线图案中的其他布线图案进行接合的、由铜板构成的铜连接器。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

上述晶体管裸芯片是在上表面形成有源电极及栅电极的FET裸芯片，上述铜连接器包括源电极用铜连接器和栅电极用铜连接器，利用上述源电极用铜连接器通过焊锡使上述FET裸芯片的源电极上和上述多个布线图案中的其他布线图案上接合，利用上述栅电极用铜连接器通过焊锡使上述FET裸芯片的栅电极上和上述多个布线图案中的另外其他布线图案上接合。

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

上述栅电极用铜连接器为一种，上述源电极用铜连接器是相对于上述栅电极用铜连接器进行180°直线配置的第一源电极用铜连接器和相对于上述栅电极用铜连接器进行90°直角配置的第二源电极用铜连接器的这两种连接器，在一个FET裸芯片中，将上述一种的栅电极用铜连接器与从上述两种连接器即第一源电极用铜连接器及第二源电极用铜连接器中选择的任意一方的源电极用铜连接器组合进行使用。

4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，

形成于上述FET裸芯片的上表面的上述栅电极和上述源电极被串联直线配置，上述源电极形成为长方形状。

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，

上述第一源电极用铜连接器沿着上述形成为长方形状的源电极的短边所延伸的方向引出，并且具备接合部，该接合部具有沿着该源电极的短边及长边的短边及长边且与上述源电极接合的接合面的面积是与上述源电极大致相同的面积。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其特征在于，

上述第二源电极用铜连接器沿着上述形成为长方形状的源电极的长边所延伸的方向引出，并且具备接合部，该接合部具有沿着该源电极的长边及短边的长边及短边且与上述源电极接合的接合面的面积是与上述源电极大致相同的面积。

7.一种半导体模块的制造方法，其特征在于，包括：

在金属制的基板上形成绝缘层的工序；

在该绝缘层上形成多个布线图案的工序；

在该多个布线图案上涂敷焊锡膏的工序；

在涂敷于上述多个布线图案中的一个布线图案上的焊锡膏上搭载晶体管裸芯片的工序；

在形成于上述晶体管裸芯片的上表面的电极上涂敷焊锡膏的工序；

在涂敷于上述晶体管裸芯片的电极上的焊锡膏上及涂敷于上述多个布线图案中的其他布线图案上的焊锡膏上，搭载由铜板构成的铜连接器而构成半导体模块中间组装体的工序；以及

将该半导体模块中间组装体放入回流炉并进行如下的接合的工序，即通过焊锡将上述多个布线图案中的一个布线图案和上述晶体管裸芯片接合、通过焊锡将形成在上述晶体管裸芯片上表面的电极和上述铜连接器接合、以及通过焊锡将上述多个布线图案中的其他布线图案和上述铜连接器接合。