[发明专利]半导体模块及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及安装于汽车用电气设备的功率模块等半导体模块及其制造方法。

背景技术

近来，汽车等车辆中的各种电气设备的控制中逐渐引入了电子装置。作为安装有电子装置的电气设备的一例，在电动助力转向装置中，在收容与汽车的转向相关的电动马达的壳体内设置有马达驱动部，将电子装置搭载于该马达驱动部。该电子装置作为功率模块安装于马达驱动部。

功率模块作为适于电动助力转向装置那样的以比较大的电流驱动的电气设备的控制、例如搭载了FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极性晶体管)等功率元件的所谓的半导体模块而构成。这种功率模块由于搭载于车辆故也被称作车载模块(In-vehicle Module，车载模块)。

以往，作为这种半导体模块，例如已知图14所示的半导体模块(参照专利文献1)。图14是以往的半导体模块的一例的截面示意图。

图14所示的半导体模块100包括金属制的基板101、设置于基板101的凹部的底部平坦面上的树脂102、以及形成于树脂102上的多个铜箔(布线图案)103a、103b、103c、103d。在铜箔103a及铜箔103c与铜箔103d之间形成有槽109。而且，在多个铜箔103a、103b、103c、103d中的铜箔103a、103b之上分别形成有热缓冲板104a、104b，在热缓冲板104a、104b上分别形成有IGBT105a、105b。各IGBT105a、105b是IGBT裸芯片(晶体管裸芯片)。

而且，利用由金属线构成的布线106a将IGBT105a的发射极和铜箔103b接合，另外，同样利用由金属线构成的布线106b将IGBT105b的发射极和铜箔103c接合。

另外，利用凝胶107将树脂102、铜箔103a、103b、103c、热缓冲板104a、104b、IGBT105a、105b以及布线106a、106b封入。另外，将基板101的凹部覆盖的盖108固定于基板101的上部。

另外，作为以往的半导体模块的其他例，例如已知图15所示(参照专利文献2)的半导体模块。图15是表示以往的半导体模块的其他例的俯视示意图。

在图15所示的半导体模块200中，在基板(未图示)上形成有多个导电焊盘201、202。而且，在多个导电焊盘201、202中的一个导电焊盘201上焊锡连接有MOS芯片203。另外，在MOS芯片203的上表面形成有多个源电极205及单一的栅电极204，在MOS芯片203的下表面形成有未图示的漏电极。

而且，利用引线210将MOS芯片203的源电极205和形成于基板上的多个导电焊盘201、202中的其他导电焊盘202相互接合。引线210是通过对金属板进行冲压及弯曲加工而形成的，包括：沿图15所示的Ｘ方向及Ｙ方向(水平方向)延伸的矩形平板状的源电极接合部211；沿Ｘ方向及Ｙ方向延伸的平板状的电极接合部212；以及将源电极接合部211和电极接合部212连接的向Ｚ方向(上下方向)倾斜的连结部213。在此，源电极接合部211与MOS芯片203的源电极205软钎焊接，另外，电极接合部212与基板上的多个导电焊盘201、202中的其他导电焊盘202软钎焊接。

而且，源电极接合部211的Ｘ方向的宽度a在多个源电极205的Ｘ方向的宽度b以上。由此，可以防止源电极205中的不均匀的焊料浸润和该焊锡的回流引起的相对于该源电极205的位置错位。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-335725号公报

专利文献2：日本特开2007-95984号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，这些以往的图14所示的半导体模块100及图15所示的半导体模块200存在以下的问题点。