[发明专利]透明导电性膜有效
| 申请号： | 201380004245.5 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103999166B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 梶原大辅;梨木智刚;拝师基希 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性膜，该透明导电性膜具有膜基材和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层，其特征在于，
所述铟锡氧化物多晶层的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度大于6×1020个/cm3且在9×1020个/cm3以下，
所述铟锡氧化物多晶层中锡原子的量相对于铟原子和锡原子的总重量为10重量％～12重量％。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述铟锡氧化物多晶层的霍尔迁移率为21cm2/V·sec～30cm2/V·sec。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其特征在于，所述膜基材由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃或聚碳酸酯构成。
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