[发明专利]透明导电性膜

说明书

技术领域

本发明涉及适用于通过手指或触控笔(stylus pen)等的接触能够输入信息的输入显示装置等的透明导电性膜。

背景技术

以往已知一种在膜基材上形成有铟锡氧化物多晶层的透明导电性膜(专利文献1)。这样的透明导电性膜具有低电阻率(也称为体积电阻率)，并且显示优异的导电性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平09-286070号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，近年来广泛利用的智能手机(smart phone)或平板电脑(slate PC)等要求具有更优异特性的透明导电性膜。特别是在这些用途中，以往的透明导电性膜仍然存在电阻率大的问题。

本发明的目的在于提供透射率高，且电阻率小的透明导电性膜。

解决问题的技术手段

为了实现上述目的，本发明的透明导电性膜是具有膜基材和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层的透明导电性膜，其特征在于，所述多晶层的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度(carrier density)大于6×10²⁰个/cm³且在9×10²⁰个/cm³以下。

另外，所述多晶层的霍尔迁移率(Hall mobility)是21cm²/V·sec～30cm²/V·sec。

另外，所述铟锡氧化物多晶层中锡原子的量相对于铟原子和锡原子的总重量大于6重量％且在15重量％以下。

另外，所述膜基材优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃(polycycloolefin)或聚碳酸酯组成。

发明效果

根据本发明，多晶层的厚度是10nm～30nm，该多晶层的晶体粒径平均值是180nm～270nm，并且载流子密度大于6×10²⁰个/cm³且在9×10²⁰个/cm³以下。即，通过抑制因杂质的混合所会引起的晶体粒径减小，能够充分抑制霍尔迁移率的降低，此外还能够实现良好的透射率。因此，能够提供一种透射率高且电阻率小的透明导电性膜。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的透明导电性膜的结构的剖面图。

图2是表示多晶层的晶界的电子显微镜图像。

具体实施方式

以下一边参照附图一边详细说明本发明的实施方式。

如图1所式，本实施方式的透明导电性膜1具有膜基材2和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层3。该多晶层3的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度大于6×10²⁰个/cm³且在9×10²⁰个/cm³以下。

这样的透明导电性膜由于晶体粒径大，上述电子中能够在多晶层中移动的电子量变多，所以，电阻率显著变小。另外，由于多晶层的厚度薄，所以透射率高。

膜基材2优选使用透明性和耐热性两者都优异的材料。在制造质量优异的透明导电性膜方面，上述膜基材的厚度优选为10μm～50μm。

作为形成上述膜基材的材料，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃或聚碳酸酯。上述膜基材可以在其表面具有用于提高铟锡氧化物多晶层和膜基材的粘合性的易粘结层(anchor coating layer)、用于调整膜基材的反射率的折射率调整层(index-matching layer)、或用于提高膜基材的耐擦伤性的硬涂层(hard coating layer)。

多晶层3可以代表性地通过如下方法得到，即，利用溅射法在膜基材表面形成铟锡氧化物非晶层，并对该非晶层进行加热处理。

上述溅射法是通过使在低压气体中产生的等离子体中的阳离子冲击作为负电极的靶材，从而使自上述靶材表面飞散的物质附着于基板的方法。