[发明专利]具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法、具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法及CZTS系太阳能电池

权利要求书

1.一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括：合成由Cu、Zn及Sn构成的前体薄膜层的步骤；对上述前体薄膜层进行第一次硫化处理的步骤；对上述经硫化处理的薄膜层进行硒化处理的步骤；对上述经硒化处理的薄膜层进行第二次硫化处理的步骤。

2.根据权利要求2所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：合成上述前体薄膜层的步骤是利用选自共蒸发法、溅镀法、电沉积法、纳米粒子沉积法及溶液涂布法中的一种方法实现的。

3.根据权利要求2所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述第一次硫化处理及第二次硫化处理是通过在H₂S氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入S的方法实现的。

4.根据权利要求2所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述硒化处理是通过在H₂Se氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入Se的方法实现的。

5.一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括：合成由Cu、Zn、Sn及S构成的前体薄膜层的步骤；对上述前体薄膜层进行硒化处理的步骤；对上述经硒化处理的薄膜层进行硫化处理的步骤。

6.根据权利要求6所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：合成上述前体薄膜层的步骤是利用选自共蒸发法、溅镀法、电沉积法、纳米粒子沉积法及溶液涂布法中的一种方法实现的。

7.根据权利要求6所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述硒化处理是通过在H₂Se氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入Se的方法实现的。

8.根据权利要求6所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述硫化处理是通过在H₂S氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入S的方法实现的。

9.一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括：合成由Cu、Zn及Sn构成的第一前体薄膜层的步骤；对上述第一前体薄膜层进行第一次硫化处理的步骤；在上述经硫化处理的薄膜层上，合成由Cu、Zn及Sn构成的第二前体薄膜层的步骤；对上述第二前体薄膜层进行硒化处理的步骤；在上述经硒化处理的薄膜层上，合成由Cu、Zn及Sn构成的第三前体薄膜层的步骤；对上述第三前体薄膜层进行第二次硫化处理的步骤。

10.根据权利要求10所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：合成上述第一到第三前体薄膜层的步骤是利用选自共蒸发法、溅镀法、电沉积法、纳米粒子沉积法及溶液涂布法中的一种方法实现的。

11.根据权利要求10所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述第一次硫化处理及第二次硫化处理是通过在H₂S氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入S的方法实现的。

12.根据权利要求10所述的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，其特征在于：上述硒化处理是通过在H₂Se氛围中进行热处理的方法或利用真空蒸发法向薄膜注入Se的方法实现的。

13.一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括：形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层的步骤；形成Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层的步骤；及形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层的步骤。

14.一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法，包括：形成后面电极的步骤；在上述后面电极上，利用权利要求1到13中的任一种方法形成CZTS系薄膜层的步骤。