[发明专利]具有低薄膜电阻、光滑表面和/或低热发射率的涂覆的玻璃有效
申请号: | 201380005112.X | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN104039731B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | A·甘卓;D·R·哈斯金斯;J·W·麦卡米;G·J·内里斯;P·托施 | 申请(专利权)人: | VITRO可变资本股份有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C03C17/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 孙悦 |
地址: | 墨西哥*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 薄膜 电阻 光滑 表面 低热 发射 玻璃 | ||
交叉参考的相关申请
本申请要求2012年1月10日提交的美国临时专利申请系列号No.61/584837的权益,其名称为COATED GLASSES HAVING A LOW SHEET RESISTIVITY,A SMOOTH SURFACE,AND/OR A LOW THERMAL EMISSIVITY。申请系列号No.61584837以它全部在此引入作为参考。
发明背景
1.发明领域
本发明涉及涂覆的玻璃,其具有低薄膜电阻,光滑表面和/或低的热发射率,和更具体的,涉及热解氟掺杂的氧化锡涂层,其具有低的薄膜电阻例如低于14欧姆/平方米,光滑外涂层表面,例如外涂层表面粗糙度小于15纳米(“nm”)均方根,和/或低的热发射率。
2.工艺讨论
作为涂层领域技术人员所理解的,将玻璃板进行涂覆等来提供涂覆的玻璃,其具有与未涂覆的玻璃的光学、物理和电学性能不同的光学、物理和电学性能。作为说明和不限制所述讨论,沉积在玻璃上的氟掺杂的氧化锡的热解化学气相沉积(“CVD”)涂层提供了具有可见光和红外光透射率,雾度百分率,发射率,表面粗糙度和薄膜电阻的涂覆的玻璃,例如具有与未涂覆的玻璃板的薄膜电阻不同的薄膜电阻。
不幸的,改变一组性能会导致另一组性能处于期望的范围之外。例如和不限制讨论,通过增加涂层厚度来降低氟掺杂的氧化锡涂层的薄膜电阻增加了表面粗糙度,例如如美国专利No.3677814(“USPN‘814”)第3栏第59-68行所公开的那样。与通过增加涂层厚度来增加表面粗糙度相关的局限可以通过增加有机锡组合物的氟化物含量来减小,如美国专利No.3107177(“USPN‘177”)第4栏第30-34行所公开的。这种技术的缺点是高于某个水平时大量加入氟例如氟化铵不是有效的,如USPN‘814的第3栏第41-53行所述,其增加了涂层的电导率,这降低了薄膜电阻。
现在可以理解,有利的是提供技术来改变CVD氟掺杂的氧化锡涂层的性能,来降低薄膜电阻和名义上增加涂层厚度;降低涂层的表面粗糙度和/或降低涂层的热发射率等。
发明内容
本发明涉及一种涂覆的玻璃板,其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等,该导电膜包括薄膜电阻是9.5-14.0欧姆/平方;发射率0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围的吸收系数大于1.5x103cm-1,和表面高度均方根小于15纳米等,其中该性能是在3.2毫米的基底厚度测定的。
本发明进一步涉及一种涂覆的玻璃板,其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等,该导电膜包括在该玻璃基底表面上包含掺杂的氧化锡热解沉积的膜等,其中该掺杂的氧化锡膜的掺杂剂是氟,和共掺杂剂或者合金化成分选自磷、硼和磷和硼的混合物。
本发明仍然进一步涉及一种制品,其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等,该导电膜选自实施方案A、实施方案B和实施方案C,其中实施方案A的导电膜的薄膜电阻范围在9.5-14.0欧姆/平方;发射率0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围中的吸收系数大于1.5x103cm-1,和表面高度均方根小于15纳米等,其中该性能是在3.2毫米的基底厚度测定的;实施方案B的导电膜包含在玻璃板表面上的磷-氟掺杂的氧化锡热解沉积的膜等,其中该沉积的膜的涂覆蒸气包含锡前体、磷前体和氟前体,和磷前体与锡前体之比是大于0-0.4,和实施方案C的导电膜包含在该玻璃板表面上的硼-氟掺杂的氧化锡热解沉积的膜等,其中该沉积的膜的涂覆蒸气包含锡前体、硼前体和氟前体,和硼前体与锡前体之比是0-0.4。
附图说明
图1是可以用于本发明实践中的浮法玻璃形成室的出口端的横截面图。
图2-4是具有本发明特征的涂覆的玻璃带的片的非限定性实施方案的侧面图。
图5是现有技术的氟掺杂的氧化锡膜的晶体取向的照片拷贝。
图6是本发明的氟掺杂的氧化锡膜的晶体取向的照片拷贝。
图7是本发明的涂覆的玻璃板的等大图。
图8是具有本发明特征的多片绝缘单元的边缘组件的截面图。
图9是具有本发明特征的多片单元的横截面图。
图10是具有本发明特征的有机发光二极管的升高的侧面图。
图11是具有本发明特征的太阳能电池的升高的侧面图。
具体实施方式
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