[发明专利]用于形成熔断器的方法有效
| 申请号： | 201380005216.0 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104040711B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 鲍军静;G·波尼拉;考施克·查恩达;塞缪尔·S.·乔伊;罗纳德.G.非利普;斯特凡·格鲁诺夫;N·E·勒斯蒂格;丹·默伊;安德鲁.H.西蒙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 后段 可编程 熔断器 | ||
1.一种用于形成熔断器的方法，包括：
提供包含在第一介电层之上的硬掩模的结构，其中所述硬掩模还被布置于第二介电层之上，所述第二介电层布置于形成于所述第一介电层内的导电线路之上；
形成穿过所述硬掩模的第一开口；
在抗蚀层中形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口不对齐以暴露所述第一开口的侧壁，并且部分地重叠所述第一开口以界定重叠部分，所述重叠部分具有亚基本准则尺寸；
蚀刻被所述重叠部分暴露的所述第二介电层的部分，以在所述第二介电层中形成通孔空腔，其中所述硬掩模没有被蚀刻，所述通孔空腔完全位于所述导电线路上方并且具有亚基本准则尺寸；
移除所述抗蚀层以暴露所述第一开口；
蚀刻被所述第一开口暴露的所述第二介电层的另一部分以在所述第二介电层中形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二开口具有等于或大于基本准则尺寸的尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽具有等于或大于基本准则尺寸的尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括定位所述第二开口以根据目标编程电流来形成所述重叠部分。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使所述导电线路在所述通孔空腔的底部露出。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过双镶嵌过程来形成所述沟槽和所述通孔空腔。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电线路被连接作为阴极，并且通过填充所述沟槽而形成的特征件被连接作为阳极。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括通过CVD或者通过电镀来以铜填充所述沟槽和所述通孔空腔。
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