[发明专利]分段式天线组件有效
申请号: | 201380006658.7 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN104080947A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | B·M·约翰斯通 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/44 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 段式 天线 组件 | ||
1.一种装置,包括:
处理室体,所述处理室体具有上表面及下表面;
天线,所述天线包括:
第一段;
第二段,所述第二段电耦接于所述第一段,并延伸通过所述处理室体的内部空间;以及
第三段,所述第三段电耦接于所述第二段;以及
电介质层,所述电介质层设置于所述第二段的外径的周围。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一段延伸通过所述处理室体的所述上表面,且所述第三段延伸通过所述处理室体的所述下表面。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述天线包括中空导电管,所述中空导电管适用于传输冷却流体。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述中空导电管包括中空铜管。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电介质层设置于所述第二段的所述外径的周围,且多个间隔物耦接于所述天线的外径以及所述电介质层的内径之间。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述些间隔物用以在所述天线的外径与所述电介质层的内径之间形成流体通道,所述流体通道沿着所述电介质层的长度作延伸。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,更包括:
第一耦接体,所述第一耦接体将所述第二段连接至所述第一段;以及
第二耦接体,所述第二耦接体将所述第二段连接至所述第三段。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一段及所述第三段的长度至少为0.5米,所述第二段的长度至少为2米。
9.一种天线组件,包括:
第一中空管,所述第一中空管是导电的;
电介质层,所述电介质层设置于所述第一中空管的周围;
第一耦接体,所述第一耦接体位于所述第一中空管的第一端,所述第一耦接体用以形成与第二中空管的电连接及流体连接;以及
第二耦接体,所述第二耦接体位于所述第一中空管的第二端,所述第二耦接体用以形成与第三中空管的电连接及流体连接。
10.如权利要求9所述的天线组件,其特征在于,所述第一耦接体包括第一螺纹面,所述第一螺纹面用以将所述第一耦接体耦接至所述第二中空管,而所述第二耦接体包括第二螺纹面,所述第二螺纹面用以将所述第二耦接体耦接至所述第三中空管。
11.如权利要求9所述的天线组件,其特征在于,所述第一中空管包括中空铜管。
12.如权利要求9所述的天线组件,其特征在于,更包括多个间隔物,所述间隔物设置于所述第一中空管与所述电介质层之间。
13.如权利要求12所述的天线组件,其特征在于,所述间隔物用以在所述第一中空管的外径与所述电介质层的内径之间形成流体通道,且所述流体通道沿着所述电介质层的长度作延伸。
14.如权利要求9所述的天线组件,其特征在于,所述第一中空管与所述电介质层用以在处理室中产生等离子体。
15.一种装置,包括:
处理室体,所述处理室体具有上表面及下表面;
天线,所述天线包括:
第一段;
第二段,所述第二段电耦接于所述第一段,并延伸通过所述处理室体的内部空间;以及
第三段,所述第三段电耦接于所述第二段;以及
电介质层,所述电介质层设置于所述第二段的外径的周围,其中所述第一段延伸通过所述处理室体的所述上表面,所述第三段延伸通过所述处理室体的所述下表面,且所述天线包括中空导电管,所述中空导电管适用于传输冷却流体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380006658.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种适用于医疗器械的润滑剂及制备方法
- 下一篇:氮杂环化合物
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的